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[参考译文] LMR33630:高侧 MOSFET 损坏

Guru**** 1826430 points
Other Parts Discussed in Thread: LMR36520, LMR33630
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/976429/lmr33630-high-side-mosfet-damaged

器件型号:LMR33630
主题中讨论的其他器件:LMR36520

客户发现、当输入电压为24V 至5V 且负载为2.5A 时、多个器件的高侧 MOSFET 损坏。

但是、当我们将 LMR33630替换为 LMR36520时、问题就会消失。

静态阻抗测试后、我们发现 VIN 和 SW 引脚之间存在低阻抗。 它会看到内部 MOSFET 损坏。 你能给你的评价! 非常感谢。    

此致

Brian W

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    Brian、

    最可能的原因是 EOS。 检查最坏情况下的 VIN (最大 VIN、最高 IOUT)、并检查 VIN 是否超过数据表中的绝对最大额定值。

    如果没有、请附上原理图和布局。

    Sam