Other Parts Discussed in Thread: BQ24171
您好!
我有一个使用4k7电阻器连接到 STAT 信号的 LED。 如果电池不存在、则闪烁。 如果存在偏置电源并且我连接外部 PSU、则 LED 亮起(表示正在充电)。当我断开外部 PSU 连接时、问题就会出现、LED 仍然亮起(这意味着正在充电)、这种情况至少持续3小时。
在这种情况下、STAT 信号与 Osciloscope 一起为 GND。
可以帮帮我吗?
提前感谢:
下面是原理图:
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Other Parts Discussed in Thread: BQ24171
您好!
我有一个使用4k7电阻器连接到 STAT 信号的 LED。 如果电池不存在、则闪烁。 如果存在偏置电源并且我连接外部 PSU、则 LED 亮起(表示正在充电)。当我断开外部 PSU 连接时、问题就会出现、LED 仍然亮起(这意味着正在充电)、这种情况至少持续3小时。
在这种情况下、STAT 信号与 Osciloscope 一起为 GND。
可以帮帮我吗?
提前感谢:
下面是原理图:
您好 Emanuel35
感谢您的反馈、以下是捕获的波形:
颜色代码:
黄色:SNR (很抱歉、没有这么做、但我不想将 GND 放置在源附近。
蓝色:PVCC:当有外部 PSU 时为12伏、当有电源时为8伏:在这里您可以看到转换。
橙色:电池中的电流:PSU 接通时为1.2安培、仅当有电池时为0 (未连接任何电源)。
绿色:STAT 电压:始终为0、表示指示电池电量监测的 LED 亮起(这种情况持续3小时以上)
BTW:在我添加了缓冲器的电路中、请查看 SW 节点(以通过 EMI 认证)、这可能是问题所在:
提前感谢、
Daniel
尊敬的 Mike:
让我理解、当没有输入时 STAT 不会被下拉:但在这种情况下、显示电荷 shoud 的 LED 会熄灭、但在引脚的另一侧有电压。
我已将此 LED 连接到 Vref 电压(即使没有输入电压、该电压仍保持不变)、并且我也已连接到 PVCC、但结果相同。 LED 保持亮起。
问题是:您希望 STAT 变为高阻抗、但这不是 cas e、因为 LED 亮起。 第二:PVCC tjat 仅连接到外部 PSU 和备用充电器当我拔下外部 PSU 时、电压会降至电池电平、这是否正确? 或者、我必须找到一条路径并消除该路径以关闭充电 LED?
提前感谢、
Daniel
您好、Michael、
很抱歉我的回复很晚(我们在跨度有假期)。
L1是铁氧体、仅用于 EMI 目的。 它具有非常低的阻抗值、但我对其短路、并且行为相同:STAT 强制 GND 连接、并且在连接充电器时 LED 指示灯。
这可能有助于: 如果您连接外部 PSU 且电池需要充电)、STAT 会连接 GND (LED 亮起)、表明它确实处于充电过程中、但当电池充满电时、LED 会关闭、即使连接了外部 PSU。 这意味着 STAT 可以在充电序列中连接或断开晶体管。
提前感谢、
Daniel
尊敬的 Daniel:
数据表的第9.3.6节指出、如果 SRN 电压大于 AVCC (即仅电池)、则充电器进入睡眠模式。 在睡眠模式下、VREF 关闭、STAT 引脚处于高阻抗状态。 STAT 引脚应在输入被移除时具有高阻抗。 在电路板未通电且无电池的情况下、您能否检查 STAT 和 GND 之间的导通性并确保它们未连接?
谢谢、
Mike Emanuel
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尊敬的 Daniel:
我们在找错地方! 您可以在 BTST 引脚上使用一个电阻器来控制高侧 FET 的导通;但是、需要仔细选择该电阻器、以免高侧 FET 的导通时间过长。 BTST 引脚为高侧栅极驱动器提供电压、需要在 BTST 和 SW 引脚之间连接47nF 电容来累积该电压。 使用过大的电阻器会影响自举电容器的充电和放电、并影响充电器的运行。
谢谢、
Mike Emanuel
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尊敬的 Daniel:
自举电容器的功能是为高侧 FET 的栅极驱动器供电。 例如、假设开关节点上有来自输入的5V 电压。 该 FET 的源极为5V、但5V 栅极会导致0V VGS、这在技术上意味着 FET 关闭。
自举电容器有助于解决这一问题。 当开关节点为0V (并且低侧 FET 导通)时、自举电容器通过 REGN 充电。 在关闭低侧并尝试开启高侧之后、电容器将使栅极驱动的高电源浮动为开关节点的值加上自举电容器的电压。 实际上、自举电容器为高侧 FET 的栅极驱动产生了高侧电压。
现在来解决电阻器问题。 为了使自举方法正常工作、需要能够快速对自举电容器进行充电/放电。 但是、如果自举电容器的 RC 时间常数相对于开关周期过大、则可能无法以足够快的速度对自举电容器进行充电/放电。 例如、对于10欧姆电阻器、RC 时间常数为470ns、但开关周期为625ns。 这可能会影响驱动高侧 FET 的能力。
谢谢、
Mike Emanuel
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