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数据表中提到的 IQ 最大为4.5mA、但这是因为驱动器未切换。 我正在寻找该引脚可能灌入的最大电流 (使用开关驱动器)、因为我希望确认与 Vin 引脚一致的1 Ω 串联电阻器的大小合适。
如果你不能给我一个确定的数字，你能帮助我理解找到它所需要的所有东西吗？
谢谢！ －Bill
您好 Bill、
与驱动每个 FET 相关的直流电流为 Qg*Fsw、其中 Qg 是适用栅极驱动振幅(在本例中为8V)下的栅极电荷。 但是、请注意、VIN 到 SW 用于高侧电流感应、因此与 VIN 串联的1欧姆电阻器可能会影响这一点、因此通常不建议这样做。
注意：LM5145是下一代控制器(采用相同的控制架构)、由于其具有更好的死区时间性能、更低的静态电流、更易于实施等优势、因此更适合使用 请使用从产品文件夹下载的快速入门计算器来帮助您选择组件。
此致、
Tim
Tim、
我们只添加了1欧姆电阻器，因为 这就是 EVM 的构建方式：( 与 EVM 一样，我们在 Vin 引脚上还有1uF 的去耦。
两个 FET 一起具有30.1nC 的最坏情况 Qg (其中一个 FET 的21nC 是最坏情况)、开关频率为~350kHz。 因此、即使 FET 一起开关(这不会发生)、它也只会向 Vin 引脚添加~10mA、因此1 Ω 电阻器上的总电流为~15mA、总压降为~15mV。
您是否有任何指导、说明在问题导致之前"关闭"的情况如何？ 我假设高侧 FET 的漏极和 Vin 引脚之间的电压差只是感测到的电流中的误差？
谢谢！
－Bill
Bill、
是的、两个 FET 都在切换、并且从直流角度对其电流从 VIN 的功耗进行平均值计算。 15mA 应该正常。 但是、启动时可能会出现电流脉冲。 最新指南是移除该1欧姆电阻器、以避免影响高侧 FET 的 VDS 感应。 如果您愿意、您可以将其保留为占位符、因为它是测量 IC 电流消耗的便捷点。
噢，啊，因为我们用 Qg*fsw 来谈论平均电流！
我询问此器件的全部原因是为了确保其尺寸合适。 让我们假设我没有遇到如您所述的 VDS 感应问题。 您是否知道 Vin 引脚可能消耗250mA 的电流、持续时间足以超过电阻器的1/16瓦额定值？
该额定功率应该可以。 根据您的 FET 选择和开关频率、电流不应超过15mA。
谢谢、Tim！
谢谢、Bill。 我将关闭该线程。
