大家好、TI 专家
该器件声称具有2MHz 的开关能力、如何得出该值? 内部所有内部延迟(例如、驱动延迟、死区时间)?
如果可能,我希望得到一个公式或一个图表,显示如何计算。
2.在高频开关死区期间、我想了解肖特基二极管是否位于内部以旁路体二极管、从而优化反向恢复和电压振铃应力?
您知道、如果使用正常的硅体二极管进行开关、则反向恢复过于严重、无法在高频 CCM 降压转换器中应用。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
大家好、TI 专家
该器件声称具有2MHz 的开关能力、如何得出该值? 内部所有内部延迟(例如、驱动延迟、死区时间)?
如果可能,我希望得到一个公式或一个图表,显示如何计算。
2.在高频开关死区期间、我想了解肖特基二极管是否位于内部以旁路体二极管、从而优化反向恢复和电压振铃应力?
您知道、如果使用正常的硅体二极管进行开关、则反向恢复过于严重、无法在高频 CCM 降压转换器中应用。
非常感谢您的回复。
听起来像是采用单节集成的肖特基(或性能有效的)二极管、例如您了解 Infineon OptiMOS5技术。
当然、我完全理解详细的设计信息应该是保密的、实际上我对细节一点也不感兴趣、我只是对一般想法和一般组合感兴趣、以便更好地理解原则。
我是否可以尝试理解、频率限制在哪里、与内部驱动器参数更相关、或者与功率 FET 性能更相关? 一般回答是可以的。
感谢您的回答、Qingquan。
但是、我可能没有很好地解释我的问题、请允许我询问有关为此类器件标记的频率限制数据的更多信息。
我绝对明白、Fsw 是系统级设计考虑因素的折衷结果、例如每个会话中的时间延迟限制、组件功率损耗、整体效率、尺寸、EMI、 热性能、成本、控制架构/稳定性等...
我实际上并不是问这个问题,因为我不认为 数据表中的开关性能范围应该包括所有这些系统性能参数都发挥作用,因为在正常功率 FET 数据表中你从来没有看到过开关频率规格,但是你可以在 DrMOS 数据表中找到这个规格。 我认为这必须是一个计算数据或基于实验的数据、而不是只想到的数据。 这就是我提出这一问题的原因。
我只关心功率级本身的开关功能(不考虑系统性能)、驱动器内部还是功率 FET 导通/关断时序限制了 FSW 规格?
为了添加一些信息、我知道目前在典型应用中、在 POL/VRM 中将 FSW 推至高于1MHz 并不是很感兴趣。
我只是对高频电源转换器做一些技术研究,终端设备可能不是12V-1V 降压转换器--我们可能会将功率级作为通用半桥拓扑来进行各种功率转换,例如 LLC 谐振转换器。
因此、弄清为何您在数据表中将2MHz 标记为规格、这对 mu 理解很有帮助、对我来说很有意义。
感谢您的所有评论。
我可以理解,没有问题,但学术精神使我很难接受你在这里的解释。
我只能在下面的技术讨论中与您分享我的想法。 为了进行公平比较、仅以低于60A 的功率级为例。
①CSD95481显然是 CSD95372B 的下一代产品、系统效率和热性能要好得多、这证明了 FOM (材料数)性能比以前要好得多。但是、最大开关规格保持不变、仍然是1.25Mhz。


②On 另一方面、请查看 CSD95372A 和 CSD95372B、 B 具有 IOUT 功能和电路、但 A 没有。
从 FET 和系统级性能来看、A 版本比 B 版本更差、但看到 A 版本2MHz 比 B 版本1.25Mhz 更高、却感到很惊讶。


我的结论:
我很明显、该规格与 FET 参数以及系统效率/热性能没有密切关系。 它应该与其他内部电路性能和参数相关、例如 IOUT。
但我可以理解为它提供合理价值的折衷和困难、再次感谢您的回答。