This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/982542/tps7a8300-vout-over-abs-max-rating
大家好、
我的客户正在使用 TPS7A8300。 在他的应用中、在 Vin 关断期间、Vout 将显示超过 Vin + 0.3V 的电压大约为310ms、而输出的绝对最大额定值应低于 Vin + 0.3V、这是否会损坏 IC？ 如果是、如何防止这种情况？
最棒的
Zeming
您好 Zeming、
在客户的工作条件下、内部 ESD 二极管将会正向偏置、因此不建议这样做。 我们不建议在这种情况下运行。 如果客户必须在这种情况下运行、则应尽力尽可能减轻 ESD 二极管上的应力。 除了将电压尽可能降低到0.3V 以上(0.31V 优于0.4V 等)之外、它们还应降低二极管上的电流。 因此、需要采用高串联电阻或其他尽可能限制电流的机制(10uA 优于1mA 等)。 最后、它们应该减少二极管上出现这种电压和电流升高的时间。 10us 优于1ms 等 这可以减少 ESD 二极管正向偏置时的能量。
最终、这种器件的运行超出了我们的数据表规格、因此、如果客户以这种方式使用、则必须确保此器件在其应用中按其需要运行。
谢谢、
斯蒂芬
尊敬的 Stephen：
非常感谢您的解释。
您能否提供有关 ESD 二极管偏置电压和电流增加之间关系的数据？
我想知道他们是否可以使用外部放电电路来解决这个问题、这有道理吗？
ESD 二极管的 IV 曲线并不容易获得、但它通常是专有数据、因此我不认为我可以释放它。
我再次提出您的问题、我错误地认为您是指另一个引脚、而不是 Vout。 如果 Vout 超过 Vin 0.3V、则不会是 ESD 二极管、而是将正向偏置的内部非理想 MOSFET 体二极管。 一旦该二极管正向偏置、反向电流将从 Vout 流入 MOSFET。 在这种情况下、我们建议将电流限制为器件的绝对最大额定值的5%。 为100mA 的反向电流。
