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[参考译文] LM7480-Q1:LM74800

Guru**** 2551950 points
Other Parts Discussed in Thread: LM7480

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1012997/lm7480-q1-lm74800

器件型号:LM7480-Q1
主题中讨论的其他器件:LM7480LM74800-Q1

尊敬的团队:  

您是否会检查原理图是否适合以下要求?

  1. 输入电压:4、5-36V
  2. 最大输出电流:1、3A
  3. 42V 时为1分钟
  4. ISO 7637-2:2011脉冲1:
    -600V
    RI = 50欧姆
  5. ISO 7637-2:2011脉冲2a:
    +50V
    RI = 2 Ω
  6. ISO 7637-2:2011脉冲2b
    +20V
    RI = 0、05欧姆
  7. ISO 7637-2:2011脉冲3a
    -200V
    RI = 50欧姆
  8. ISO 7637-2:2011脉冲3b
    +200V
    RI = 50欧姆
  9. ISO 16750-2:2012 Pulsa 5a (负载突降)
    +174V
    RI = 2 Ω

在42V 输入测试期间、电路也应将输出电压限制为40V。

感谢您访问 advancee2e.ti.com/.../LM7480.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 M同 化亚诺:

    感谢您的支持!

    我们将在下周初回顾并返回。

    此致、Rakesh

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    尊敬的 M同 化亚诺:

     

    请查看我的以下评论、

    1. ISO 7637-2脉冲1需要由 TVS 钳位在负极侧。 您选择的 TVS 适用于脉冲1、但它们可能不适用于200V 负载突降、该负载突降通常持续时间更长、如350ms。   可按数据表所示串联使用 SMBJ150A + SMBJ33CA 的组合。 有关 TVS 选择的更多信息、请参阅数据表的"MBJ150A for D3 and SMBJ33CA"部分。
    2. LM74800-Q1的额定电压为65V、因此可轻松承受2A 和2b 脉冲。  
    3. ISO 7637-2脉冲3A 和3B 是 200V 100ns 的极快重复脉冲、通常被输入和输出陶瓷电容器吸收。
    4. 您已将 OV 引脚连接到输出以实现 OV 钳位。 在 OV 钳位操作中,FET 将因其功率损耗((Vin-Vout)*Iout)而承受应力。 在这种情况下,功率损耗为(42-40)*1.3)=2.6W。 请检查 BSZ900N2是否能够承受1分钟的这一功率 这将是 FET 面临的一个重大挑战。
      1. 为了避免 FET 上的应力、您可以将 OV 引脚连接到输入侧以配置为 OV 切断。 在此配置中、FET 不会产生功率应力、因为当 Vin 上升到高于 OV 阈值(例如40V)时、FET 将关断。 请参阅数据表中的图10-27。  
    5. 有关 R1和 D5额定功率、请参阅数据表的"10.3.2.3 VS 电容、电阻器和齐纳钳位"部分。
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    Praveen、您好、感谢您的支持!

    我 在原理图中添加了一些详细信息:

    e2e.ti.com/.../LM7480_5F00_V2.pdf

    1. 由于连接到电源的其他电子器件、我必须将电压限制为65V。 如果单个 SM8S36CA 是不够的、我将检查串联的几个 SM8S18CA。 请注意、负载突降发生器的内部电阻为2欧姆。
    2. 好的
    3. 好的
    4. 抱歉、我没有解释过:1.3A 在6V 输出上、因此@ 40V 应该低于250mA (假设 DC/DC 转换器的效率为80%)。 MOSFET 上的功率耗散应为(42-40)*0.25)=0、5W。  
      1. 在负载突降期间、我无法关闭 MOSFET、因为电路必须 在负载突降期间工作、因此我需要 LM74800的钳位功能
    5. 我添加 了 D4、以便使用工作电压低至2.7V 的降压/升压直流/直流尽可能降低电路的电压限值。 然后我添加了 R1、D1。
      D5 是一种附加保护、但如果输入电压限制为65V、则不需要 D5。  
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    尊敬的 M同 化亚诺:

    感谢您分享更多 信息。 我很快会回来的。

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    尊敬的 M同 化亚诺:

    请参阅下面的我的回答、

    1.是的、负载突降发生器的内部阻抗为2欧姆、但负载突降持续时间太长- 350ms、这几乎类似于直流条件。 因此 、建议选择击穿电压>最大负载突降电压的 TVS。 如果要在负载突降期间钳制输入电压、则需要选择一个 TVS、该 TVS 可承受功率={[(负载突降电压-钳位电压)/2] x [钳位电压]}、持续350ms。

    在任何情况下、共源极拓扑都会将其输出电压钳位到由 OV 引脚设置的值。 因此、由于 OV 钳位特性、在输出端不会看到输入端的负载突降。 因此、您无需使用 TVS 来钳制输入电压。  

    0.5W 的功率耗散不应成为 FET 面临的挑战。 但是、请检查 FET 温度上升(取决于您电路板上的环境温度、FET 的 RQJA)和 FET SOA (FET 在直流条件下可处理的电流大小、电压为2V)。

    5.是的,LM74800-Q1可在 VS 引脚上低至3V 的电压下工作。 确实、只要 VS 上的电压限制为<65V、D5就不是必需的、但在负载突降期间情况并非如此(假设您已将输入 TVS 击穿电压选择为>负载突降电压)。