[参考译文] LM25117：MOSFET 和输出电容器出现故障

您好、Aquiles、

该原理图有点难读。 请检查电感器是否未饱和(SAT 电流应远高于峰值电流限制)。

请注意、您可以使用 LM25117快速入门计算器来检查补偿(至少作为起点的恒定输出电压操作)。

此致、

Tim

您好、Tim、感谢您的评论。 尝试多次单击图像。 我现在可以在页面上打开高分辨率图像。 我将研究电感器饱和情况。

我注意到没有传统的输出电压反馈、因此如果电流环路运行不正常、可能会导致 Vout 变为高电平。 此外、MOSFET 米勒平坦区电压相当高、约为5V。

此致、

Tim

您好、Tim、感谢您的反馈。 我们仅在 CC 模式下运行转换器、并且我已经测试了机器以将输出电压限制在22V。 向 VCCDIS 引脚添加 OVP 电路似乎是有益的。 我认为这种方法将有助于解决 Cout 故障。

我不熟悉降压拓扑中米勒平坦电压的影响、请您解释一下吗？  我们是否可以使用接近 HO 和 LO 限制的控制器、而不是完全导通 Q1/Q2？

非常感谢您的反馈。  

Aquiles、

鉴于栅极驱动振幅(VCC)相对于 FET 的米勒平坦区电压(FET 数据表中 Qg 与 Vgs 曲线中的平坦线)、我们更倾向于具有几伏的过驱电压。 这可确保 FET 在导通时得到充分增强。 我注意到、对于60V 器件、这里使用的 BSC066 FET 有些高(5.2V)-请参阅该数据表中的图14。 但它仍应能够 充分满足 LM7.6V 栅极驱动振幅的要求。

此致、

Tim

您好、Tim、

感谢您的澄清。 这是有道理的、因为部分增强型 FET 的导电性较差。 我们在 Q1中看到了非常一致的故障、除了向该 FET 添加专用散热器之外、还有其他电路改进是否可行？ 此外、在20-30小时的使用时间以及不同的电感器(15 μ H 和33 μ H)时也会发生故障。  

再次感谢、如果您有其他建议、请告诉我。  

Aquiles、

也许可以通过仿真或查看瞬态响应来检查稳定性、特别是考虑到可能具有高 ESR 的电解输出电容器(尤其是在冷态时)。 功率级看起来正常、电感器占用空间大、额定电流为12A。

此致、

Tim

您好、Tim、

感谢您的想法。  

没问题、Aquiles。

此致、

Tim

您好、Tim、我们已经测试了可能导致 Q1/MOSFET 故障的条件。 我们希望与您协商、看看我们的想法是否有好处。

具体而言、我们注意到、当 LM25117检测到短路情况时、我们的电路中的 Q1 Vgs 以大约1.3V 的电压驱动。 尽管输出电压非常低(~130mV)、电流为0、但我们认为这些特定条件会导致 MOSFET 过早发生故障：

1. 机器检测到断路/短路。 HO/LO 被关闭。
2. 使用示波器、我们将 HO-SW 电压测量为大约1.3V。
3. 在我们的设计中、Q1 MOSFET 的 Vgsth 为2.8V。
4. 这些条件会导致 Q1 MOSFET 部分导通、从而导致高 RDS (on)。  
5. Q1上仍施加24V 电压、导致功率耗散(小？) 高 RDS (on)导致的高导通电阻。  
6. 在这些条件下、Q1过早出现故障。

这种想法是否有意义？ 感谢您的任何反馈。  

您好、Aquiles、

当 FET 关断时、HO 至 SW 的电压应为0V、因为有一个有源下拉电阻。 请确保您正在进行从 HO 到 SW 的差分测量。

即使存在1.3V 的电压、也不应导致 FET 导通。

此致、

Tim

您好、Tim、在电路处于故障条件下时、这里有2个示波器测量值、HO：

软件：

这里有什么问题吗？