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您好!
遗憾的是、"3x100pF HF 旁路"解决方案无法通过 EMI/EMC (传导和辐射故障)。 这就是我们现在需要制造 EMI 滤波器的原因。
但是、我们不确定要选择的值以及我们的用例(100mA)是否需要阻尼电容器(CD)。 避免使用阻尼电容器的原因只是我们的空间要求。
我们只有4mm 的高度、所有电解电容器都在5mm 以上。 使用陶瓷电容器也会非常昂贵(47uF、50V)。
我们一直在使用 WEBench PowerDesigner、但我们不确定这些计算结果是否可信?
例如、阻尼电容 CD 应为4xCIN (公式 AN-2162) 、但 PowerDesigner 不会自动建议该值。
我们的解决方案 需要衰减约40dB (输入=24V 至输出=5V、avg=50mA-100mA)
-是否已经使用了任何"最佳做法"值并通过了 EMI/EMC 测试?
据我所知、LF (1uH - 10uH)越高、是否需要阻尼电容器越多?
-如果在5V 电压下仅使用50-100mA 电流时将阻尼电容器放低、会发生什么情况?
-如果阻尼电容器不符合规则 CD="4xCIN"(公式 AN-2162)、会发生什么情况? CD=CIN 会怎么样?
-如果 CF 高于计算值(公式 AN-2162)会发生什么情况
此外、我们还想知道 EMI 滤波器是否也能解决我们的辐射 EMI 问题。 还有其他"最佳做法"吗? 可能是输出端的铁氧体磁珠或共模扼流圈?
非常感谢!
Marcus
您好 Marcus、
具有 HF 旁路的默认 EVM 通过 B 类测试、结果低于40dB。 我建议遵循建议的 EMI 布局、如 EVM 或数据表(布局部分)中建议的布局。 数据表中的图7和图8还展示了辐射 EMI 结果(辐射也与布局非常相关)。
当输出阻抗非常高时、需要阻尼电容器。 C_d 可降低滤波器的阻抗峰值。 因此、减小阻尼电容器将导致更高的峰值。 例如、以下应用报告 SNVA755 中有一个未使用电解 C_d 的示例。
您可能已经阅读了以下应用报告 SNVA834、因此有几种 EMI 降低技术。 铁氧体磁珠或共模扼流圈有助于降低噪声。 请参阅以下应用报告 SNVA871、其中详细介绍了其他格式。
此致、
Alejandro
您好、Alejandro、
非常感谢您的回答。
我已尝试实施数据表中的所有建议布局建议。
您能否快速查看下面的 PCB?
我们添加了一些通孔来连接顶层和底层接地层。 此外、我们还隔离了 DCDC 周围的 GND。
接地过孔可能会产生一些接地振铃?
以下是该 PCB 的测试 EMI 结果
传导 EMI (50mA-100mA)
辐射 EMI (50mA-100mA)
输入电容器
我还想知道选择哪个 CIN 值。 数据表引用了一个10 uF (1210)的混凝土 MLLC 电容器。 但是、对于24V 输入、这会降低到大约5.1uF (24V 直流偏置)。 有问题吗? 我们是否应该更好地放置2x10uF MLLC 来获得"真正10uF"?
新:EMI 滤波器
我们现在已经完成了很多计算、下面的 EMI 滤波器值对我们来说似乎是合理的。
您对使用这些值有何看法?
LF = 10uH
CF = 10uF (2x10uF MLLC、直流偏置-50%)
Cd = 47uF (电解电容)
Rd = 100m Ω
非常感谢!
Marcus
您好、Marcus、
感谢您提供详细信息。 布局有点难、但从简短的概述来看、看起来不错。 正如您提到的、接地过孔可能会导致一些振铃。
是的、它应该是一个10uF 的有效电容。 放置2x10uF。 全新的 EMI 滤波器肯定会改善您的 EMI 结果。 请分享以下内容、因为这些内容应处理~800kHz 附近的峰值。 此外、请注意、输入电容器会影响降压转换器中输出端的噪声量。
此致、
Alejandro