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[参考译文] TPS23753A：VC電流のばらつき μ A

admin
Guru**** 2536800 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS23753A

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1006806/tps23753a-vc

器件型号：TPS23753A

TPS23753Aを使用して、PoEスプリッター、输出电压＝12vを設計しました。

通常動作時にICの4番Portに流れるVc電流にばらつきがあり、数十mA流れるスペックオーバーの場合もあります。μ A

Vc電流に数十mA流れる場合は、Q1が熱により故障する症状が起きています。正確ではないかもしれないが、約3割で発生。μ A

Vc電流に過剰な電流が流れる条件は何でしょうか？μ A

备注

・回路図を添付します。一部抜粋 μ A (μ A)

・D1を現在の12vから9.4vに変更するとVcの電流が下がります。μ A

・11番Portのクラスは、現在は3です。ただし負荷は3.8W程度しか消費していません。μ A

以上です。μ A

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    TI__Guru**** 2536800 points
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    Konichiwa Hideki-San

    Boku wa sukoshi nihongo wakarimasu。 dakara、boku wa TI FAE ni hanashimasu。 很棒的酒店！

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    TI__Guru**** 2536800 points
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    Darwin San

    感谢您的大力支持！

    我用英语书写。

    我设计了一个 PoE 分离器、Vout = 12v、使用 TPS23753A。

    大电流可能流过 IC (VC)的第4个端口。 

    它可能超出规格(我测量的电流为10mA-60mA)。 
    在这种情况下、有一种症状、即 Q1由于发热而失败。 
    VC 中发生过流的条件是什么？ 

    备注 
    将 D1的齐纳电压从12v 更改为9.4v 可降低 VC 的电流。 
    端口11的级别为3。 但功耗约为3瓦。 
    我更改为0级、但电流没有下降。 

    此致。 
     
     
     
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    TI__Guru**** 2536800 points
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    Ohkawa-san、您好、

    我怀疑 Q1 FET 更高的栅极电荷会通过 VC 拉高电流。 当电压低至9.4V 时、有效栅极电荷将更少、因此流经 VC 的电流将更小。 我建议使用9V 齐纳二极管、因为我们将其用于所有倒置降压 PoE 设计。 请告诉我这是否有帮助。 谢谢！

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    TI__Guru**** 2536800 points
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    你好、达尔文市

    感谢您的快速回复。

    我有疑问。

    12v 齐纳二极管是否不符合规格？

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    TI__Guru**** 2536800 points
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    Ohkawa-San、

    是的、12V 齐纳二极管仍会满足 IC 本身的导通要求。 我认为、问题更多在于 FET 选择和更高栅极电荷的系统电源设计层面。 谢谢！  

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    TI__Guru**** 2536800 points
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    你好、达尔文市

    很抱歉我的答复很晚了。

    我还有一个问题。

    我使用12v 齐纳二极管。

    大多数器件都没有问题(这意味着会有小电流流动)

    但在极少数情况下、大电流会以多个单位流动。

    您如何看待这种差异？

    (我认为、如果12v 齐纳二极管产生不良影响、则所有单元都具有相同的行为(大电流)。)

    请告诉我 您的想法。

    感谢您的大力支持。

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    TI__Guru**** 2536800 points
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    Ohkawa-san、您好、

    我相信带初级 FET 的12V 齐纳二极管的性能有限、因为栅极电荷会因 FET 而异。 因此、建议 使用低栅极电荷 FET。 在我们的参考设计中、我们同时使用低栅极电荷 FET 和低电压齐纳二极管。

    谢谢！

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    TI__Guru**** 2536800 points
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    你好、达尔文市

    感谢你的答复。

    我想了解以下内容。

    VVC 和 IVC 及其变化(IVC 的最大值/最小值)之间的关系。

    请参阅 pdf 文件。

    e2e.ti.com/.../RequestData.pdf

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    TI__Guru**** 2536800 points
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    Hideki-San、您好！

    您可以将电流视为由 PD 控制器耗散的平均静态电流(数据表中显示的 VC 工作电流)+初级 FET 消耗的平均电流(该电流将是 FET 栅极电容的函数、因此 i=c*dV/dt)。 如果您想计算此值、可以尝试获取栅极波形。 但您可以看到、随着电压升高、电流将增加这一直接关系。 请告诉我这是否有帮助。 谢谢！