[参考译文] TPS27S100：反向保护二极管(DS 中的图31)

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TPS27S100

DS (图31和32)显示了二极管和/或 GND 网络(GND 和器件 GND 之间的二极管+并联电阻器)、以防止反极性(电流反向流过器件)

除了提到 GND 网络二极管电流限制之外、我找不到任何有关该二极管的建议...您能否给出一个适用于以下各项的示例二极管？

VIN = 24V

Iout = 2A

ILIM = 470Ω μ A

Darren

0 admin 4 年多前

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您好 Darren、

二极管应能够在反向电流情况下阻止电压。 FET 的额定电压最大为48V、因此需要一个至少为48V 的二极管阻断电压能力。正向压降越低、也越好。二极管压降将导致微控制器的 IC 接地和数字接地之间发生接地漂移。 0.6-0.7V 正常。

我们的 EVM 中使用的二极管是 BAS21-7-F、可供您参考。

如果您有其他问题、请告知我们。

此致、

您好

电源管理（参考译文帖）(Read Only)