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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1007309/tps40303-tps40303-application-question
大家好、
使用 TPS40303DRCR 时、数据表建议使用100nF 的自举电容器。 如果使用470nF 或220nF、是否存在风险？
张丹
虽然没有使用220nF 或470nF 的风险。 即使转换器反复启动和停止、BP 至引导驱动路径也能够处理470nF 电容器的充电电流、 但这可能没有什么好处、我不建议使用超过470nF 的电容器。
在高侧 FET 导通期间、用于引导的 SW 电容器为高侧驱动器的浮动引导电源供电。 从 SW 到引导电容器汲取的电荷大约等于高侧 FET (Qg)的6.5V 栅极电荷。 每个开关周期的自举电路上的压降将为 Qg / Cboot
对于总栅极电荷为10nC 的高侧 FET、自举将使100nF 电容器放电100mV、220nF 电容器放电45mV、470nF 电容器放电21mV。 MOSEFT Rdson 在这3个电压下的差异非常小。 在许多情况下、甚至可以使用更小的 SW 到 BOOT 电容器、从而允许更多的 BOOT 到 SW 纹波、但我要谨慎选择每个 NC 栅极电荷的电容小于4nF 的电容器。 当 SW 至 BOOT 电容器充电时、如果在高侧 FET 关断后 SW 返回接地、BOOT 上允许超过250mV 的纹波、则会增加峰值 BP 至 BOOT 的再充电电流。
