[参考译文] BQ76942：MOSFET 驱动器

您好 Sean、

下拉 MOSFET 必须以一定的裕度克服电荷泵输出。  当下拉 CHG (这不是您的图)时、200uA 可能就足够了。  电荷泵在驱动器之间是通用的、因此、如果您拉低 CHG、您还将拉低 DSG、但将 DSG 拉至 BAT 电压不会关闭 DSG FET、只需限制其栅极电压即可。  因此、您还需要禁用 DSG 驱动器。

在您的图中、外部控制 MOSFET 下拉放电栅极。  DSG 驱动器是电压驱动器、但下拉时具有电流限制、约为10mA、但这不是数据表参数。  因此 、在 FET 中提供良好的裕量。  您的 FET 会将漏极节点拉至0V。  DSG 引脚的电流可能为10mA、因此使用2k 电阻器时、DSG 电压可能为20V、或低于 BAT 电压。   预计 DSG 的电流不会造成损坏。  规划电阻器中的功率。

当外部 MOSFET 漏极被拉至0V 时、放电功率 FET 的栅极将被下拉至低于 P+。  P+上的负载将降低 P+电压、或者齐纳二极管将通过齐纳二极管和所示的其他2k 电阻对 P+进行放电。  如果系统用户在钳位 MOSFET 打开的情况下将40V 充电器连接到 P+、则再次计划电阻器中的功率  

如果您在钳位 MOSFET 的漏极路径中放置一个电阻器、它将从流出 DSG 引脚的电流中产生压降(并在其放电时从 P+中流出)。   如果该漏极电阻器(未在草图中显示)上的压降为5V、且放电 FET 的 Vgsth 为3V、则 P+上的压降为2V、电池仍会在低电压下向负载提供电流。  因此、请确保漏极电阻器提供的电压低于放电功率 FET 的 Vgsth。