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[参考译文] CSD16301Q2：用于反向电源保护的 CSD16301Q2

admin
Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17585F5, CSD17318Q2, CSD16301Q2
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/972120/csd16301q2-csd16301q2-for-reverse-supply-protection

器件型号：CSD16301Q2
主题中讨论的其他器件：CSD17585F5、 CSD17318Q2、

您好！

我想将 TI MOSFET 用于我的12V、3A 反向电源保护应用。 我的 PCB 上没有太多空间、因此如果可能、请为其建议最小的器件型号。

谢谢！  

  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ali、

    感谢您关注 TI FET。 我不确定您的电路配置。 如果在低侧使用 FET、则驱动 FET 应该没有问题。 但是、如果 FET 位于高侧、则需要提供高于输入电压的栅极电压。 CSD16301Q2导通电阻的额定值低至最小 VGS = 3V、这意味着您需要提供至少15V 的电压以确保 FET 导通。 采用2x2mm 封装的另一种替代方案是 CSD17318Q2、其导通电阻稍低、额定电压为30V。 我们有一个可以正常工作的较小器件 CSD17585F5、其最小 VGS = 4.5V。