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器件型号：TPS7A84A 大家好、
客户希望在 TPS7A8401A 上使用2.5V 输入电压和3.3V EN 高电压。 在数据表中、EN 最大规格=建议值时的 Vin、EN 最大值= 6.5V、绝对值时的 EN 最大值。 那么、我想知道 EN 电压是否高于 Vin 电压、这里是否存在任何风险？ 您能帮助解释 EN 和 Vin 引脚之间的内部结构吗？ 谢谢！
大家好、
客户希望在 TPS7A8401A 上使用2.5V 输入电压和3.3V EN 高电压。 在数据表中、EN 最大规格=建议值时的 Vin、EN 最大值= 6.5V、绝对值时的 EN 最大值。 那么、我想知道 EN 电压是否高于 Vin 电压、这里是否存在任何风险？ 您能帮助解释 EN 和 Vin 引脚之间的内部结构吗？ 谢谢！
尊敬的 Feng：
Ven>Vin 的用例没有风险、因为下面是绝对最大值表、其中显示了 Ven 的 Vin 依赖性。
尊敬的 Feng：
请参阅我对以下问题的评论：
建议使用10k 至100k 的 PG 上拉电阻器、如果上拉电阻器在该范围内、主要的影响和风险是什么？
如果 PG 上拉电阻过大、则根据外部 PG 上拉电压的值、PG 引脚泄漏电流(最大1uA)可能会导致通过上拉电阻的 PG 信号出现足够的压降、从而错误地指示逻辑低电平条件。
如果 PG 上拉电阻太小、则该电流乘以内部下拉 FET 的导通电阻(RDSon)可能会导致 PG 信号错误地指示逻辑高电平条件。
2.当 PG 处于下拉状态时、内部下拉电阻是多少？ 因为客户需要计算该引脚的灌电流并评估风险。
下拉电阻等于内部 FET 的 Rdson、该 FET 用于将 PG 引脚连接到 GND 以指示逻辑低电平条件。 根据 数据表中的 PG 电压与 PG 电流阱关系图、FET 的 Rdson 通常介于110欧姆至200欧姆之间(请参阅下文)。
在150um 焊球上进行探测时肯定会出现这些问题、甚至可能更糟。