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大家好
我想到的是这样的电路：
控制驱动器的系统以 GND 为基准。 10V 也以 GND 为基准。 当然、需要准备控制引脚上的信号、以便在低电平时将其降至-10V。
1. VSS 上的负电压电平是否有问题？
2.在负电源端子上驱动具有负电压的半桥是否有更好的解决方案？
感谢你的帮助。
此致
您好 Robin、
对于此实现、驱动器输入信号将需要一个电压电平转换器。 有一份应用手册展示了 UCC27531、这是一款低侧驱动器、具有负栅极驱动偏置和电平转换器。 这个同样的电路可被应用于 UCC27282。
应用手册可在此处找到：
https://www.ti.com/lit/an/slua994/slua994.pdf?ts=1610639915997&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FUCC27531
对于 VDD、我看到在 VSS 上施加3.3V 电压、并施加-10V 电压、请确认连接到 VSS 的 VDD 将为13.3V。
确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。
此致、
你好 Richard
非常感谢您的快速回复。 这确实回答了我的问题。 但我想再问两个问题：
那么、基本上、如果 VDD 至 VSS 电压符合规定、此应用手册中的电路可以与任何半桥驱动器一起使用？ 没有需要检查负 VSS 的其他参数？
2.我需要通过单个 PWM 信号驱动多个并联半桥。 理想情况下、所有 IGBT/FET 应同时开关。 但许多驱动器具有非常大的死区时间或传播延迟容差、因此理论上每个 IGBT/FET 的开关时间可能有很大差异。 是否有任何驱动器具有非常小的计时容差以满足时间关键型要求？
对于第一个问题、您需要确保总电压、正偏置 +负偏置处于栅极驱动器 VDD 至 VSS 额定值的建议工作范围内。 例如、额定电压为16V、工作电压为+10V 和-5V 的驱动器将向驱动器 VDD 至 VSS 引脚施加总共15V 的电压。
您显示的示例是将3.3V 施加到 VDD、将-10V 施加到 VSS、即13.3V、这与驱动器额定值相同。 您需要确认向 MOSFET 驱动+3.3V 电压是否足够、因为它听起来很低。
对于延迟问题、UCC27282具有16ns 的典型传播延迟和30ns 的最大值、因此延迟的变化不会很大。 该驱动器中没有内部死区时间、但有互锁功能、可防止 LO 和 HO 同时导通。
再次感谢您的快速且乐于助人的响应。 这回答了我的所有问题。
再次感谢您的帮助。
