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[参考译文] LMG1025-Q1：使用600ns 脉冲和500kHz 驱动50 Ω 负载

admin
Guru**** 667810 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1025-Q1, LMG1205
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/969397/lmg1025-q1-driving-50-ohm-load-with-600ns-pulse-and-500khz

器件型号：LMG1025-Q1
主题中讨论的其他器件： LMG1205

您好！

我想使用 LMG1025-Q1以600ns 脉冲宽度和500kHz 频率的方波脉冲驱动50 Ω 负载。

可以驱动哪个负载？

VDD = 5V

输出= 5V 脉冲

输出电流= 100mA 脉冲

我在这里有一个测试 PCB、我看到输出电压值从5、25V 下降到4、80V、具有600ns 脉冲和50 Ω 负载。

在数据表中、我没有找到有关此行为的信息。

在较低频率(30kHz)下、电压保持在5、25V、具有600ns 脉冲和50 Ω 负载。

->这是否是热行为？

此致、

Gerald

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    TI__Guru**** 667810 points
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    Gerald、您好、

    感谢您的联系。

    我们的驱动器通常用于驱动容性负载、在这种情况下、输出级 FET 会通过脉冲电流对容性负载(即 MOSFET 的栅极)进行充电/放电。  

    假设100mA 是流经负载的平均电流(在600ns 脉冲期间)、 您可能会对 内部 OUTH 上拉晶体管施加应力、该晶体管通常不会看到超过20mA 的电流。 您能否在此期间确认 IDD 电流？

    此外、根据您的波形、由于负载的电阻性质、也可能存在泄漏、这可能会导致 IC 上的结温升高。

    电压是否开始在500kHz 或较低频率下下降？

    此致、

    -Mamadou  

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    TI__Guru**** 667810 points
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    您好、Mamadou、

    非常感谢您的快速响应！

    哦、好的、我不应该为超过20mA 的直流电流选择此器件。 在此期间、我没有测量过电流、但我假设该电流是因为电阻负载为50欧姆。

    电压可能在200-300 kHz 时开始降低、我无法在此频率下测量它。

    但在150kHz 时、无法重新标记。 也许有点(mVolts)。

    备选方案：

    您是否有适合此应用的好替代产品？

    我需要具有200ns 至600ns 脉宽和极快上升时间的正脉冲。 而且还具有高达100mA 的直流电流能力、输出脉冲的电压应为+5V。

    此致！

    Gerald

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    TI__Guru**** 667810 points
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    您好、Gerald、

    我建议添加一个 GaN FET 来提供电流、正如在 EVM 中所做的那样。 正如 Mamadou 提到的、LMG1205旨在驱动 GaN FET 的容性负载、而不是电阻性负载。