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[参考译文] CSD88537ND:CSD88537ND 导通栅极电压

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD88537ND
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/967919/csd88537nd-csd88537nd-turn-on-gate-voltage

器件型号:CSD88537ND

您好!

我想在 新设计中使用 CSD88537ND。  我使用栅极电压驱动器来驱动它、该驱动器可保证 Vgs = 5.1V (或更高)的最小驱动电平。   从 CSD88537ND 数据表中、我无法清楚地判断它是否保证在5.1V 栅极驱动下处于"打开"状态(在所有器件和整个温度范围内)。

TI 能否告诉我 、在 Vgs = 5.1V 时、CSD88537ND 是否保证"打开"、在这种情况下、最坏情况(即最高)的 Rdson 将是什么?

谢谢、
Mohan

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    大家好、Mohan、

    感谢您关注 TI FET。 CSD88537ND 导通电阻的额定最小 VGS = 6V。 TI 无法保证 VGS = 5.1V 时的导通电阻。 我们不建议在 VGS < 6V 的情况下运行器件。 数据表第一页上的 RDS (on)与 VGS 曲线显示、VGS = 5.1V 位于曲线的陡峭部分、其中导通电阻呈指数增长。 这些曲线适用于典型器件、阈值电压的微小变化可能导致导通电阻发生很大的变化。 为了保证导通电阻、您必须使用 VGS >=6V 来驱动 FET。

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    尊敬的 John:

    非常感谢您给出了清晰的答案。  在您撰写本文之前、我曾尝试使用 Vgs=5.1V 的 FET、但在您作出响应后、我很清楚这种情况会变得微不足道。  因此、我将找到另一种解决方案。  再次感谢您!

    此致、

    -Mohan