[参考译文] CSD88537ND：CSD88537ND 导通栅极电压

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/967919/csd88537nd-csd88537nd-turn-on-gate-voltage

器件型号：CSD88537ND

您好！

我想在新设计中使用 CSD88537ND。我使用栅极电压驱动器来驱动它、该驱动器可保证 Vgs = 5.1V (或更高)的最小驱动电平。从 CSD88537ND 数据表中、我无法清楚地判断它是否保证在5.1V 栅极驱动下处于"打开"状态(在所有器件和整个温度范围内)。

TI 能否告诉我、在 Vgs = 5.1V 时、CSD88537ND 是否保证"打开"、在这种情况下、最坏情况(即最高)的 Rdson 将是什么？

谢谢、
Mohan

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2694555 points

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大家好、Mohan、

感谢您关注 TI FET。 CSD88537ND 导通电阻的额定最小 VGS = 6V。 TI 无法保证 VGS = 5.1V 时的导通电阻。我们不建议在 VGS < 6V 的情况下运行器件。数据表第一页上的 RDS (on)与 VGS 曲线显示、VGS = 5.1V 位于曲线的陡峭部分、其中导通电阻呈指数增长。这些曲线适用于典型器件、阈值电压的微小变化可能导致导通电阻发生很大的变化。为了保证导通电阻、您必须使用 VGS >=6V 来驱动 FET。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2694555 points

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尊敬的 John：

非常感谢您给出了清晰的答案。在您撰写本文之前、我曾尝试使用 Vgs=5.1V 的 FET、但在您作出响应后、我很清楚这种情况会变得微不足道。因此、我将找到另一种解决方案。再次感谢您！

此致、

－Mohan

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