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[参考译文] LM62460：OVP、ts2、从压降中恢复

admin
Guru**** 670150 points
Other Parts Discussed in Thread: LM62460
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/996516/lm62460-ovp-tss2-recovery-from-dropout

器件型号：LM62460

大家好、我有三个问题。

①I 希望将 LM62460用于 Type-C

当通过更改 FB 电阻比降低输出电压时、

FB 电压上升和过压保护工作正常。 这是可以的吗？

②The 数据表中写入的 Δ ts2定义了从什么到什么的时间、以及它的秒数？

③The 从压降恢复功能的说明为"降低几个百分点"。

具体而言、它会产生多大的下降百分比？

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    TI__Guru**** 670150 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    1. 通过使用一个固定的顶部电阻器、并联多个底部电阻器和串联 MOSFET 来控制输出电压、可以轻松实现 USB Type C 应用。 当您在不同输出电压(例如、5V、9V、12V 等)的 MOSFET 之间切换时、反馈电压将尝试调节至1V 的基准电压。 这会根据配置的不同而将输出电压下拉或上拉。  您现在如何在设计中实现 USB Type C？ 请提供原理图供审核。  
    2. 我将与系统和验证团队核实是否有确切的数字。 我猜是从 Ten 和 TSS 获取最大规格、同时增加几毫秒的延迟。 我已被系统更新、您可以预期 Tss2的典型值为5.8ms、最大值为8.4ms。
    3. 我想这个百分比大约在 Vout 的2-3%以内。

    此致、

    Jimmy

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    TI__Guru**** 670150 points
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    我 已经像您所解释的那样对电路进行了合成、上面的图像是实际的测量波形。
    我担心器件可能会损坏、因为每次降低电压时过压保护都会起作用。
    (我认为过压保护仅在出现异常时才有效。)

    2和3。 我明白了。 感谢您的回答。

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    TI__Guru**** 670150 points
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    您好！

    1. 您能否提供设计原理图供我查看？  
    2. 我想知道在不同底部电阻器中实现开关是否会在这里引起问题并达到反馈电压的尖峰。 我找到了一些有关动态可控输出电压的参考应用手册材料、该材料非常适合 USB type C 应用。 也许您应该查看此应用手册 SLVA861 并实施此控制方法。 顶部和底部电阻器都是固定和设置的、简单的注入电流会改变输出电压。  

    此致、

    Jimmy  

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    TI__Guru**** 670150 points
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    您好！

    这是与电压转换相关的电路的一部分。

    上面的电路用于到目前为止我已经配置的 USB Type-C 的直流/直流转换器。

    如果我可以配置新系统、我想使用您提供的应用程序。

    但是、这次我只需要更换另一家公司产品的直流/直流转换器而不更换系统、因此必须使用上述电路。

    此致、

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    TI__Guru**** 670150 points
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    您好！

    我之前没有为 USB 应用精确配置过 EVM、因此您看到的症状对我来说是新的。  

    如果您增加输出电压、是否会发生相同的问题？ (例如、5V -> 12V)。

    此致、

    Jimmy

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    TI__Guru**** 670150 points
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    您好！

    当输出电压增加时、不会出现此症状、但仅当输出电压下降时才会出现此症状。

    当降低输出电压时、输出电压放电电路也会在切换 FB 电阻器的同时启用。

    但是、由于它不是一个强大的输出电压放电电路、无法抑制由于 FB 电阻切换而导致的 FB 电压上升、因此 FB 电压上升并变为 OVP。

    当增加输出电压时、TPS62460会振荡以升高输出电压、这会抑制 FB 电阻器开关导致的 FB 电压降低、因此 FB 电压保持在1V、不会成为 OVP。

    此致、

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    TI__Guru**** 670150 points
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    您好！

    我建议使用电流注入(DAC)方法并再次进行测试。 我想知道通过 MOSFET 控制底部电阻器是否会在 FB 中引入一些噪声(例如、当电压从高电压变为低电压时、底部电阻器与另一个设置的底部电阻器瞬间并联)。  

    当改变输出电压时、反馈引脚希望看到1V (基准)电压以满足适当的输出调节要求、并且它将在内部执行任何操作来获得基准电压。 MOSFET 控制方法可能会影响内部反馈环路、并导致转换器的 IC 在从高电压转换为低电压时瞬间升高以满足此1V 基准。

    此致、

    Jimmy