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器件型号:BQ35100 主题中讨论的其他器件: BQSTUDIO
很抱歉、有这么多问题。 (还有很多其他线程、用户有些困惑)
- 数据表 8.2.2.6预期器件使用情况配置文件+技术参考等
- 需要5小时的休息时间-"处于危险之间的时段、不允许电池休息、并且可能存在任何与 EOS 相关的数据
"。 : 如何预测电池负载较低但频率较高的 BQ35100 EOS 性能? 例如、是否有30分钟、1小时、3小时的用例、或者这是否只是所有客户的交易断路器? - 这里的"10s of ms"是什么意思?
- 需要5小时的休息时间-"处于危险之间的时段、不允许电池休息、并且可能存在任何与 EOS 相关的数据
- 技术参考5.3 EOS -
- ?何时? 器件是否有足够 的信息: “当器件有足够的信息来更新阻抗时,阻抗的当前值是
复制到之前的阻抗、准备更新新的阻抗值。" - EOS 趋势检测-默认值为20。 客户(有时)是否要更改此项? 这在哪里进行了解释?
- 请注意错别字为"趋势检测"。
- 请注意、如果默认值为0、则 MIN 不是真正为1、但 是否 在其他地方解释了 R SHORT 趋势滤波器和 R Llong 趋势滤波器?
- 我不遵循 EOS 平滑处理。 似乎不会出现在其他地方。 EOS 模式首先执行 SOH。 我们不应该切换模式、但 使用寿命数据必须在整个生命周期内还是仅在 EOS 警报之后?
- ?何时? 器件是否有足够 的信息: “当器件有足够的信息来更新阻抗时,阻抗的当前值是
- 校准
- 数据表未指明这是每个单元的一个步骤。 在找到这些细节之前、我们也相当(也)地投入了我们的评估
- 使用我们的电池通过 BQstudio 在 EVM 上进行校准是否正确 、与此处的重要事项无关? 需要在我们的 PCB 上执行该操作?
- 我收集+/- 125mV 感应范围用于调节此校准、因此通过最大测量电流选择感应电阻器、然后在校准时施加类似较大的测量电流? 如果正确-为什么 techref 3.8说通常使用1000mA?
- 校准对 SOH 的影响是否大于对 EOS 的影响?
- 初始/运行条件
- 7.3.2.3.1初始 EOS 学习-如果 EOS 是通过长期和中期阻抗比触发的-这是为什么? 您说得有多好? 这如何适用于可能通过加载而被取消充电的电池或尚未取消充电的电池?
"为了获得最佳精度、器件更新阻抗值的第一个事件需要在何时发生
电池已满(新电池)。 如果电池部分放电、则 EOS 检测的精度为
"。 - 如果电池在运行期间的方向发生变化(这对某些 LiSoCl2电池的影响比其他电池大)- EOS 是否仍然工作?
- 对于具有一致脉冲的测量-我们所说的一致性有多高? 假设基于无线电 的设备在休息后根据1a 唤醒、某些传输/连接 会自然发生变化。 是否应避免负载/周期的可变部分? 那么、是否应该仅在可预测的情况下进行测量(GE HIGH)(但现在这些类型器件的负载较低)?
- 与上述相关: 我不知道是否只需要通过 GE HIGH 观察负载的一个子集、或者应该观察到所有/大多数脉冲?
- 7.3.2.3.1初始 EOS 学习-如果 EOS 是通过长期和中期阻抗比触发的-这是为什么? 您说得有多好? 这如何适用于可能通过加载而被取消充电的电池或尚未取消充电的电池?
提前感谢

