[参考译文] CSD18510Q5B：如何更准确地预测 FET /二极管中的反向恢复损耗

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/997687/csd18510q5b-how-to-more-accurately-predict-the-reverse-recovery-losses-in-fets-diodes

器件型号：CSD18510Q5B

您好！

我将尽可能仅使用数据表信息来预测直流/直流转换器中的损耗。我不太幸运的参数之一是 Qr/TRR 相关损耗。

在大多数数据表中，Qrr 损耗仅针对一种工作条件指定，但从您的一些培训材料(https://training.ti.com/understanding-mosfet-datasheets-switching-parameters https://training.ti.com/reverse-recovery )和其他研究论文中可以看到，这些损耗会随 di/dt 的变化、反向恢复前的正向电流和温度的变化而变化很大。

我的问题是：是否有任何公式可应用于数据表 Qr/TRR 参数以更正不同的工作条件？例如、如果我的应用 di/dt 接近于1000A/us、而不是 CSD18510Q5B 数据表中指定的300A/us (我选择了随机 FET)、我是否可以应用比例因子？如何针对不同的 di/dt 和 I_F 进行缩放将是我主要寻找的结果。

此致、

Oisin Anderson

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 668880 points

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您好 Oisin、

感谢您关注 TI FET、我不知道基于 di/dt 和 if 的 Qrr 比例因子。我对同事有一些疑问、以了解他们是否对您的请求有任何意见。我将在收到其他信息后立即向您更新。

谢谢、

John Wallace

TI FET 应用

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 668880 points

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您好 Oisin、

我与同事进行了检查、没有能够使用不同 di/dt 以及准确计算 Qrr 的分析方程、因为它在技术与技术之间存在很大差异。作为第一个近似值、您可能会假设 Qrr 与 di/dt 和 IF 成正比。然而，我们没有数据，无法提出相称性因素。

此致、

John

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 668880 points

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尊敬的 John：

感谢您的帮助、希望我最终能找到一些东西。

此致、

Oisin

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 668880 points

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您好、Oisin、

我通过谷歌搜索"mosfet reverse recovery"、找到了一些有趣的文章和应用手册。您还可以搜索"硬换向"。希望这对您有所帮助。

谢谢、

John

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