请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：BQ25703A 主题中讨论的其他器件：CSD87588N、 CSD17551Q3A、 BQ25703
您好！
我目前正在审查一个使用 TI 器件型号 CSD87588N 作为开关降压和升压 NexFET 的设计。 该器件将低和高对 FET Q1和 Q2组合在单个 LGA 封装中。
xxx87588N、 Q1规定 CIS @ 566pF (典型值)和 Qg @ 3.2nC (典型值)，而 Q2规定的规格为2310pF (典型值)，以及大得多的栅极电荷 Qg 13.7nC 。在查看 TI 参考设计后，建议的 FET 似乎是一个低得多的 CIS 和 Qg。
- 您认为 Q2的 Ciss 和 Qg 值较大是否可以接受？
- 将这种双类型 FET 与 BQ25703A 器件搭配使用是否有任何潜力？
设计：VIN= 5V、 2S 锂离子电池、1A 系统负载。 电感器为3.3 μ H、 无 OTG
谢谢
