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器件型号：CSD19534Q5A 主题中讨论的其他器件： CSD19532Q5B、 SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC、 CSD19531Q5A、 CSD19533Q5A
大家好、
我收到了客户的问题、
在降压电源效率优化过程中、会遇到以下问题。
根据传统损耗计算公式、降压电路的上管损耗主要是 PLOS=PCON+psw+pgate、而下管损耗主要是 PLOS=PCON+pdi二极管+pgate。
TI 的 MOS 经过设计和选择、驱动电压为10V：
CSD19534Q5A RDSon = 12.6m Ω Qg = 17nC
CSD19532Q5B Rdson = 4m Ω Qg = 48nC
根据计算、CSD19534Q5A 和 CSD19532Q5B 的损耗小于 CSD19534Q5A 的损耗。 但通过使用 TI 的 SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC_Rev1。 结果表明、CSD19534Q5A 和 CSD19532Q5B 的损耗远高于 CSD19534Q5A 的损耗。
使用 SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC_Rev1、根据步骤、先选择下部管、然后选择下部管、损耗较小、但上部管的损耗要大得多。 下部管的选择对上部管的损耗有很大影响。
请查阅 MOS 管的主要参数。 没有考虑到哪些要点、
非常感谢你的帮助。
此致、
