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[参考译文] TPS23730:TIDA-050045 -替代器件

Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-050045, CSD18503Q5A, UCC2897A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1000155/tps23730-tida-050045---substitute-parts

器件型号:TPS23730
主题中讨论的其他器件:TIDA-050045CSD18503Q5AUCC2897A

您好!

我正在设计基于 TIDA-050045参考设计的产品。 同步整流器晶体管之一是 NRND (BSC105N10LSF)、几乎所有 FET 现在都很难获得、交货周期为52周等 我正在搜索我们可以使用的替代器件。 一些参数是明显的、Vdsmax、Vgsmax、Idmax、Rdson。 Ciss、Coss、Qg、Qgd、Qoss、 上升和下降时间、Qrr、TRR? 选择它们是否有经验法则、例如 C、Q、上升和下降时间更短和/或可接受?  可以接受多少电荷、电容、上升和下降时间的增加? 在此设计中选择 MOSFET 时有什么特殊陷阱?  

谢谢、

David

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    尊敬的 David:

    问得好。 您的设计中是否使用了 Q8? 如果是、则可以使用 Q8 FET 代替 Q6。

    要直接回答您的问题、在选择此 FET 时需要考虑三个主要因素:

    • 额定电压和电流
      • 通常、您需要使用相同的额定电压和电流 FET。 但是、Q6 FET 额定电压实际上在该设计中是过高的、可以使用额定电压较低的 FET、例如40V。 作为 Q6的替代方案、Q8 (CSD18503Q5A)可用于替代 Q6。
    • Rdson  
      • 较低的 Rdson 将具有较低的导通损耗、因此效率更高。  
    • 栅极电荷
      • 在 ACF 设计中、不建议使用 MOSFET 切换速度非常快且速度非常慢的 FET。  
      • 如果使用较高的栅极电荷器件、则击穿风险较高、因为这会减慢 FET 的导通/关断时间。  

    如果您对此有任何疑问、请告诉我。 谢谢!  

    此致、

    Brett Colteaux

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    谢谢 Brett! 这很有帮助!

    我不明白您所说的"慢速 Rdson FET "是什么意思。

    遗憾的是、CSD1503Q5A 不可用、交货周期为40周、因此也必须替换它。

    提供 CSD1504Q5A、但 Rdson 高出~ 50%。 它的 Qg 也降低了~ 50%。 较低的 Qg 是否会抵消较高的 Rdson、从而使其可接受? 它还具有连续 Id 低20%、但仍比10A 输出电流高50%。

    对于选择 Q11 (主开关)和 Q10 (钳位)、注意事项是否相似? 虽然有一些库存、但交货周期也很长、我需要多个来源。

    祝你一切顺利、

    David

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    尊敬的 David:  

    对这种混乱表示歉意,我编辑了我的上述评论,使其更加明确。  

    栅极电荷和 Rdson 都比设计中使用的电荷高、这会 对设计的效率产生负面影响。

    我不认为它们会相互抵消、但如果我要在两个相似的 FET 之间进行选择:一个具有更低的栅极电荷、另一个具有更低的 Rdson、我会根据我的经验选择具有更低栅极电荷的 FET、以提高效率。 但在  该设计中使用 CSD1504Q5A 不会出现问题。

    对于 Q11和 Q10、同样的注意事项也适用于上述帖子。 此外、我建议特别 注意 PFET 电流额定值。 选择相同或更高的电 流、因为在关断期间峰值电流可能很高。  

    但愿这对您有所帮助。  

    此致、  

    Brett Colteaux

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    谢谢! 再说一次、非常有帮助。

    还有两个问题、第一个是关于 Q6和 Q8的问题。 您说过 Q8可用于替代 Q6。 Q6有关 Rdson、Qg 甚至 Idmax 的规格比 Q8宽松得多。 Q6是否可用于代替 Q8 (您所说的相反方向)? 换句话说、两个同步转换器的要求是相似的、Q6有关 Rdson、Qg 和 Idmax 的规格是否也可以被视为 Q8规格的外部界限?

    第二个问题是、您能否请我参考一份应用手册、该应用手册将帮助我了解有源钳位正向转换器的工作原理? 我找到了几篇文章、但它们都非常基本、并且对如何选择组件保持沉默。

    祝你一切顺利、

    David

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    尊敬的 David:

    一般而言、串联 FET 和并联 FET 的规格会有所不同。 通常、串联 FET 额定电压将高于 ACF 的并联 FET 额定电压。 因此、串联 FET 上的电压应更高、您可以在 并联 FET 上使用与串联 FET 相同的 FET 器件型号。  

    在 FYI 中、 此参考设计的设计人员尝试尽量减少 EVM 的变化量、因此他只更改了串联 FET、但我们正在 TI.com 上进行更新。  

     

    对于 ACF 资源、我推荐使用以下应用手册、其中讨论了 ACF 功率级的基本原理:

     

     

    如果您有任何其他问题、请告诉我。 谢谢!

     

    此致、

    Brett Colteaux

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    谢谢 Brett!