[参考译文] LM5145：LM5145高侧 MOSFET 损坏

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器件型号：LM5145
主题中讨论的其他器件： LM5146-Q1

大家好、我们的设计有问题。

此设计是一种介于30-48V 至12V 10A 之间的电源。

我们使用工作台来设计电源。可以插入和拔下负载。我们已使用电阻负载和电感负载(电机)对设计进行了测试。此设计可满足要求、但有时高侧 MOSFET Q8会烧毁(源极和漏极之间为0欧姆)。

两个 MOSFET 在满载时的栅极信号为：

栅极信号似乎正常。

但是、当没有负载时、我们有：

通过放大关断部分、我们可以看到高侧和低侧 MOSFET 的交叉传导颜色信号为(在这里反相)低侧栅极 MOSFET 的振铃部分在之后已被删除。

空载时的 SW 信号为

我们不知道高侧 MOSFET 何时烧断、但我们怀疑这种情况是在我们关闭电源或断开负载时发生的。

此致

Johan

。

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2391415 points

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Johan、您好！

在 MOSFET 选择方面、这似乎与 LM5145 EVM 非常相似。实际上、它与 LM5146-Q1 EVM 类似、也是12V/8A/400kHz。

请发送完整的 LM5145快速入门文件。我在这里看到输出有点低、因此请为陶瓷输出电容使用正确的降额值。

就您提供的波形而言、这对应于二极管仿真模式(当 DEMB 引脚连接到低电平时)。如数据表的布局部分所述、务必使栅极环路尽可能紧密、以最大限度地减小可能导致振铃的寄生电感。如果您怀疑在高侧导通期间 SW 电压与低侧栅极(LO)之间存在耦合、则与引导电容器串联的电阻器(例如4.7或10欧姆)将会减慢导通速度、从而导致 SW 的 dv/dt 上升。

也许您可以测量 SW 电压以查看开关期间的行为。具体而言，您可以参阅应用手册 snva803获取功率级布局指南-- LM5145和 LM5146-Q1 EVM 实际上是基于该应用手册中讨论的技术。

此致、

Tim

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2391415 points

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Tim、您好！

我们使用 webench 进行计算。我们找到了问题。我们使用连接在12V 输出上的电机、在12V 时、电机消耗为10A。

我们对48V 输入进行了监控。当我们在短时间内启动电机时、有时电流在48V 输入上达到12安培。这意味着12V 分支上的电流或多或少为48A。我们认为还有更多。

这意味着 I limitat.ion 不适用于短路。 BSC117支持48A、我们看到我们已经达到极限。

我们使用支持100A 电流的 BSC037对高侧 MOSFET 进行了更改测试。 MOSFET 是可以理解的、但由于 BSC037的 Rdson 是 MOSFET 过热的3倍、因此会出现限制。

哪些因素会导致短路限制无法正常工作？

此致

Johan

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2391415 points

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Johan、

如果预计电流过高、请检查电感器饱和电流。此外、您还可以参考 LM5145 EVM 的电流限制设置、因为它使用相同的低侧 FET。请注意、LM5145具有谷值电流限制功能、因此在最初施加过载时、峰值电流可运行得更高(有关更多详细信息、请参阅 LM5145数据表的电流限制部分)。

此致、

Tim

电源管理（参考译文帖）

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