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[参考译文] CSD19536KTT:RDC 缓冲器设计注意事项

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KTT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/998870/csd19536ktt-rdc-snubber-design-considerations

器件型号:CSD19536KTT

您好!

我想使用 CSD19536KTT 为逆变器板设计一个 RCD 缓冲电路、无法正确选择二极管、因此请您支持为 RCD 缓冲电路选择二极管的设计注意事项和公式。附件 显示了电路配置。

谢谢。

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    Anusree、您好!

    感谢您关注 TI FET。 在以下链接中、您将找到缓冲电路理论和设计的详细信息。 通过在网上搜索 RCD 缓冲电路设计、也可以获得多个有用的结果。 您的要求是什么? 尽管 TI 在这一领域不生产任何产品、但我可能能够帮助您进行二极管选择。

    缓冲电路:理论、设计和应用

    电源技巧:缓冲反激式转换器

    《电源电路缓冲器设计》

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用

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    尊敬的 Anusree:

    跟进、看看这是否解决了您的问题。 如果我没有听到您的反馈、我将关闭此主题。

    此致、

    John

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    尊敬的 Anusree:

    再次感谢您关注 TI FET。 我将关闭该线程。

    此致、

    John