请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:LM2642 您好!
如图2所示。 数据表 P.7中的典型双通道应用电路、我的客户认为来自 HDRV1引脚的 Q1栅极电压如下:
"Q1栅极电压"= VIN + VDD -二极管 VF (D3A)。
他的理解是否正确? 请告诉我们。
谢谢、此致、
M.Hattori
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
如图2所示。 数据表 P.7中的典型双通道应用电路、我的客户认为来自 HDRV1引脚的 Q1栅极电压如下:
"Q1栅极电压"= VIN + VDD -二极管 VF (D3A)。
他的理解是否正确? 请告诉我们。
谢谢、此致、
M.Hattori
您好!
是的、理解是正确的。 在 Q2导通期间、引导电容器(图2中的 C7)将充电至 VDD-二极管 VF (D3A)的电压。 当低侧 FET (Q2)关断时。 如果忽略 Q1的 RDS_ON 导致的任何压降、该电容器中的电荷将打开 Q1、使 Q1导通期间在其栅极上看到的电压大约为 VIN+VDD 二极管 VF (D3A)。 由于 Q1 FET 的 RDS_ON 可能会有轻微的下降、因此可采用 VIN-(RDS_ON*I_IN)+VDD-二极管 VF (D3A)替代计算