[参考译文] CSD13381F4：开关与放大器；多路复用器论坛

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/998488/csd13381f4-switches-multiplexers-forum

器件型号：CSD13381F4

您好！

在 CSD13381F4 12V N 沟道 FemtoFET MOSFET 顶视图中、在源极和漏极之间仿真一个体二极管、该二极管在所有 MOSFET 中通用且可用。

不过、还仿真了 MOSFET 栅极和源极之间的二极管。

您能否解释一下该二极管(在栅极和源极之间)的功能、以及它是否适用于所有 MOSFET 或仅适用于此特定器件型号？

如果源极电压较高并且栅极接地以实现 MOSFET 的关断状态、栅极和源极之间可能会出现泄漏电流？

请提供建议。

此致、

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2378650 points

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您好 Rita、

感谢您关注 TI FET。我们的一些用于负载开关或电池保护 FET 的较小器件包含栅极-源极 ESD 保护、可用作单端二极管或背对背二极管。 CSD13381F4具有单端 ESD 保护结构、该结构通过> 4kV HBM 和> 2kV CDM、并且具有极低的泄漏电流。需要注意不要施加负 VGS 以避免二极管正向偏置。有关 TI FET 中栅极 ESD 保护的更多详细信息、请参阅此技术文章。

谢谢、

John Wallace

TI FET 应用

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