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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/994882/bq77216-bq7721600-configuration
您好！ 你好。 我们的客户有 BQ7721600，他们希望使用它，但是他们需要帮助配置低电平有效的 MOSFET (BQ7721600 )。 在 EVM 上、它显示了如何使用 BQ7721602。 他们是否有任何可用于 BQ7721600的图？ 感谢你的帮助。 此致、 Cedrick
您好、Cedrick、
漏极开路器件没有典型的应用图。 当客户希望连接逻辑电压以发出信号时、通常使用漏极开路部件、DOUT 和 COUT 引脚可能会被拉至逻辑电压或任何高达 VDD 的电压。 当条件正常时、输出为高电平、当发生故障时、信号变为低电平。
另一种可能的配置是使用2个与结点串联的上拉电阻器、该结点连接到电源处于 BAT+电平的 P 沟道 FET 栅极。 漏极是输出信号。 当 COUT 或 DOUT 处于正常高阻抗状态时、P 沟道 FET 关断、漏极不产生电流。 当显示的故障发生时、COUT 或 DOUT 变为低电平、从而在 P 沟道 FET 上产生栅极电压、该电压将电流从 BAT+拉至负载电路。 此拓扑在逻辑电压低于 VDD BATTERY +的情况下工作。 使用 BATTERY +时、请注意 COUT 和 DOUT 和 BATTER+之间的瞬变以及可能的电路触发器、因为 COUT 和 DOUT 不应超过滤波后的 VDD。
大家好、
继续上述主题。
您能否 解释 一下 DOUT 高低电平时、P-ch MOSFET (Qdsg)在 BQ7721602中的工作原理？
如果您可以解释这两种情况、那会很有帮助。
在 Adv 中谢谢。
您好、Aditya、
BQ77216的开漏版本和一个 P 沟道 MOSFET。 P 沟道 FET 的源极将连接到某个逻辑电压或高达 BQ77216 VDD 的电压。 在某些情况下、电源可能适合连接到 BAT+、但请注意 VDD 从 BAT+滤波、如果存在电池瞬变、则 VDD 可能与 BAT+不同。 FET 应具有一个从栅极到源极的电阻器。 当电压高于 VGS 限制时、栅极至 DOUT 引脚之间应连接一个分压电阻：
由于没有故障、BQ77216 DOUT 输出为高阻抗并由 RGS 电阻上拉、P-ch FET 关闭、其漏极电压降至下拉电平。
在故障情况下、BQ77216 DOUT 拉至 BQ77216 VSS 基准。 栅极电压下降、电流通过 RGS 消耗、FET 导通并将电流输出到漏极电路。 这通常会将漏极电压升高到逻辑电压、但会根据系统电路设计工作。
再次阅读您的问题、您提到了 BQ7721602、高电平有效的6V 驱动器版本和 Qdsg、如数据表的图9-1所示。 图9-1不是完整电路、不适用于 BQ7721602。 该图的理想输出在无故障时为6V、在 BQ77216不支持的故障时为低电平有效。 该电路需要 N 沟道 FET 的栅极上拉电阻器、才能导通 N 沟道和 P 沟道。 作为一个独立电路、可能会上拉至 BAT+、其中有一个未显示的电阻器、该电阻器与 RDOUT 一起为 N 沟道栅极提供安全电压、而 N 沟道漏极中的电阻器与 Qdsg 栅极配合使用以提供 A Qdsg 栅极的安全电压。 这些偏置路径将需要连续电流。 在故障发生时、BQ7721600会将 DOUT 拉低、从而关闭 N 沟道信号 FET。 ROFF 会关闭 P-ch Qdsg。 关断可能会很慢、因此栅极可能需要一些额外的电路。
