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器件型号：LM5116 主题中讨论的其他器件： LM25149-Q1、 LM5146-Q1、 LM5143-Q1、 LM5164
你(们)好。
我有一个 LM5116设计、可在48-85V 输入电压、12V 输出电压、1.5A 电流下工作。
我尝试降低开关节点上振铃的振幅、因为在 Vin = 85V 时、峰值超过100V。
我已 根据 snva803进行布局、方法是：
-将输入电容器尽可能靠近 MOSFET 放置。
-使用3mmx3mm 封装 MOSFET 以 较低的 Qrr 值实现低寄生效应。
－保持主电源环路面积尽可能小。
-通常使布局尽可能紧凑。
连接电路原理图和布局后、开关节点振铃超过100V -使用接地夹而不是长接地引线进行测量。
我对原理图进行了以下更改、以尝试降低振铃峰值：
1) 1)将 HS 栅极电阻从0 Ω 增加到20 Ω-将峰值从109.3V 降低到101.3V。
2) 2)在开关节点上添加了一个 RC 缓冲器电路、2.2Ohm 和100pF -峰值电压降至98V。
以下是 SW 节点的外观(缓冲器在抑制振铃方面表现良好)：
我想进一步减少振铃。 考虑到输入电压为85V、理想情况下、我希望将振铃降至95V 以下、因为我 发现、如果输入电压略高于85V、LM5116是第一个发生故障的组件。
我认为我的 PCB 布局没有明显的缺陷、您同意吗？
我还可以尝试减少振铃峰值吗？如果这是 MOSFET 问题、我应该最关注哪些 MOSFET 参数？
如果有任何帮助、我们将不胜感激！
本
