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[参考译文] TPS51215A：高侧 MOSFET VGS 和 VDS 的振铃

admin
Guru**** 2391415 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51215A

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/996139/tps51215a-ringing-of-high-side-mosfet-vgs-and-vds

器件型号：TPS51215A

对于同步降压应用(TPS51215A)的高侧 MOSFET (PDC3908AZ)、我们发现 VDS 和 Vgs 会随着输出负载的增加而振铃。 重负载下振铃波形的振幅大于轻负载时的振铃波形振幅。 但使用其他 MOSFET (NTFS4C10N)时不会出现振铃。 振铃综合征是否与任何 MOSFET 参数相关？

波形显示如下：

无负载

最大负载

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    TI__Guru**** 2391415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tim、

    我刚才检查了您提供的数据表。 是否在高侧驱动器信号和 MOSFET 之间添加了任何外部电阻器？ 如果是、我建议用0欧姆代替、并在 重负载下使用 MOSFET PDC3908AZ 重试。

    此外、您是否可以尝试将 V5IN 电压增加到5.2V、并在重负载下使用 PDC3908AZ (建议的绝对最大值为5.25V)再次尝试？ 根据提供的数据表、我怀疑哪些参数可能会产生影响。 我认为以上两个实验有助于验证我的嫌疑人是否正确。

    另一件事是、所附的波形不清楚... 我可以从中得到很少的信息。

    谢谢、

    Andrew

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    TI__Guru**** 2391415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Andrew：  

    MOSFET 和高侧栅极之间有2.2欧姆的扩展电阻器。 我们还将替换为0欧姆、它也会振铃。 但我们使用 PDC3908AZ 作为高侧 MOSFET、使用 NTTFS4C10N 作为低侧 MOSFET、这种组合不会产生振铃。

    振铃波形(Ch1：高侧 Vgs、Ch2：高侧 Vds)

    无振铃波形(Ch1：高侧 Vgs、Ch2： 高侧 Vds)

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    TI__Guru**** 2391415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tim、

    感谢您提供线索。 在出现振铃时、您能否帮助同时测量低侧 Mos Vgs 和高侧 Mos Vgs？

    谢谢、

    Andrew