[FAQ] [参考译文] [常见问题解答]：LM74700-Q1、LM7480-Q1和 LM7481-Q1有何区别？

背景：
LM74700-Q1是一款理想二极管控制器、可驱动 N 通道 MOSFET、从而在反向电池保护、反向电流阻断和 ORing 应用中模拟理想二极管。 当控制器关闭 MOSFET 时、体二极管在正向路径中传导电流、即电源路径未被切断。

在许多应用中、需要在过压条件或低功耗睡眠模式期间切断电源路径。 需要第二个 MOSFET 以及背对背连接的“理想二极管”MOSFET，以便在关断期间提供过压保护或断开负载。 如常见问题解答5所述、LM74700-Q1不适合驱动两个背对背连接的 MOSFET。

LM7480-Q1和 LM7481-Q1系列理想二极管控制器具有业界首款用于控制背对背 N 沟道 MOSFET 的双通道栅极驱动器、一个用于模拟理想二极管的 MOSFET 以及用于负载断开的其他 MOSFET、过压保护(包括未抑制的负载突降保护)。 此外、LM7480-Q1和 LM7481-Q1均支持通用控制拓扑-共源极拓扑和共漏极拓扑。

图1显示了共漏极(CD)拓扑和共源极拓扑的简化图。 共漏极拓扑是需要“常开”电路工作的应用的首选。 CAN/LIN 通信 MCU 通常需要在低功耗状态下始终处于开启状态。 需要共源极拓扑来支持200V/100V 未抑制的负载突降。

图1：简化图：LM74700-Q1 CD 和 CS 拓扑

比较：
CD 拓扑中 LM74700-Q1和 LM74800-Q1的典型应用电路如图2所示。  

图2：采用 CD 拓扑的 LM74700-Q1与 LM74800-Q1典型应用

接下来、表1详细比较了所有四个控制器的功能和性能。

表1：理想二极管控制器的比较

LM7480-Q1和 LM7481-Q1具有更高的电荷泵容量、可驱动栅极电容高于 LM74700-Q1的大型 MOSFET。 对于高功率应用、建议使用 LM74810-Q1。 表2重点介绍了基于 ECU 电源要求的推荐器件。

表2：根据 ECU 电源要求选择器件

参考文献：

• 关于理想二极管控制器基础知识的应用手册
• 针对汽车应用中交流电压纹波的有源整流的理想二极管控制器应用手册