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[参考译文] BQ76952：将 CGD 放置在外部以降低 FET 开关速度

admin
Guru**** 2770855 points

Other Parts Discussed in Thread: BQ76200

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/992597/bq76952-placement-of-cgd-external-for-slowing-down-fet-switching

器件型号：BQ76952
主题中讨论的其他器件：BQ76200

您好！

如原始问题中所述。 有人建议将 CGD 放在共同的驱动点，这一想法也很有效。 但是、 对于 SLVA729A 文档中的 BQ76200、工程师通过直接在 FET (PG 8)上添加 CGD 来解决了 Vgs 噪声问题。 文件也附在此处。

您能否澄清其背后的原因、或在设计过程中决定的方法？

e2e.ti.com/.../FET-BQ76200.pdf

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    TI__Guru**** 2770855 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Shyama、

    WM 直到星期二才上班、我知道他正在帮助您调试电路板上的 FET 开关问题。 他也是您参考的文档的作者。 当他回来时，我会请他回答你的问题。

    此致、

    Matt

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    TI__Guru**** 2770855 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Shyama、

    SLVA729的图6将 CGD 用于单个 FET、因此电容器连接到栅极、其中一个 FET 是公共或唯一的栅极驱动点。 正如提交人所证明的那样，这显然是有效的。  由于多个 FET、到共漏极点的 CGD 会在转换点降低开关速度、因此不明显它会如何影响单个 FET 及其振荡趋势。 它作用于比驱动器更靠近 FET 的位置、但各个 FET 之间仍然存在一定的分离。  如果使用 CGD 抑制各个 FET 的振荡、则可能需要连接各个 CGD。  这里的一个潜在问题是电容器容差可能会导致一个 FET 具有比另一个 FET 更多的反馈、并且会尽快关闭、从而使所有电流都流向其他 FET。 我没有 CGD 拓扑方面的直接经验、最好查阅 FET 设计资源或指南。