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器件型号：BQ2970 主题中讨论的其他器件：CSD、
大家好、
我 已将 BQ29707包含在我的设计中、并且总的来说、它按预期工作。 当电池电压低于2.8V 时、DOUT 变为低电平以中断电路(关闭 DSG FET)并防止电池进一步放电。 我已使用2个 CSD16301Q2 N 沟道 FET 来提供充电和放电保护。 我的问题是、尽管电路中断、DSG FET 仍存在大量泄漏电流、因此电池在几天内变得平缓。
DOUT 可能无法完全关闭 MOSFET？
这是 BQ29707的原理图、U11和 U12是充电和放电 FET。 当我断开 U12和 U11时、泄漏电流会消除
与数据表的偏差
我在设计中没有包括数据表中建议的5MΩ Ω 电阻器、但我认为这与我的问题无关...
此外、数据表还建议使用 RDS on = 7.5mΩ Ω 的 FET、 而 CSD16301Q2 的 RDS on = 27mΩ Ω。 我认为这也 与我的问题无关...
是否有任何建议或调试指导？
Nick
