• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 3 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 161 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ24610：ACFET 上的并联 MOSFET

admin
Guru**** 2422790 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/991123/bq24610-paralleling-mosfets-on-the-acfets

器件型号：BQ24610

您好！

我想在每个 MOSFET 中添加一个并联 MOSFET、是否可以使用 N 沟道 FET 实现或是否有任何方法实现此功能？ 适配器侧的电流将高于10安培、因此我想降低电阻并分配热量。 你有什么建议吗？

提前感谢。

  • 0
    TI__Guru**** 2422790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Yasin、

      此器件不能与 NFET 输入反向阻断 FET 配合使用。 ACDRV 栅极驱动器只能驱动 PFET。

  • 0
    TI__Guru**** 2422790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kedar、

    谢谢！ 嗯、我能否在 Q1和 Q2上添加并联 PFET？ 它是关键吗？

  • 0
    TI__Guru**** 2422790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Yasin、

      是的。 如果需要、可以删除 Q2连接。 这通过控制 FET 导通时间、通过在将适配器连接到系统时提供有限的 di/dt 来限制流入系统的浪涌电流。 与 Q1一样、阻断反向电流并不重要、因此是必需的。 为了减少 Rdson、您可以将 Q1并联。