[参考译文] TLV755P：在同一布局中使用 TLV755P 和 LP5912

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1158852/tlv755p-using-tlv755p-and-lp5912-in-the-same-layout

器件型号：TLV755P

您好！

我正在考虑在同一布局中使用 TLV75533PDRVR 和 LP5912-3.3DRVR。
这是因为最近在获取器件方面遇到了困难。
封装相同、引脚排列通常兼容。
两个器件是否都可以与所附图像中显示的布局配合使用？
在此布局中、TLV75533PDRVR 的3引脚(GND)未连接、但数据表显示散热焊盘在内部连接到 GND、因此我认为该器件的 GND 已连接。
此外、我认为由于3引脚未连接、热特性会变差。

此致、

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 668880 points

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您好 Kaji、

至于散热焊盘、我联系了封装团队、因为贴装图不清楚、特别是散热焊盘、当我听到他们的反馈时、我会再给您。

是的、由于 GND 引脚悬空且不连接到较大的 GND 平面、因此热性能会下降

此致、

John

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 668880 points

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感谢你的答复。
关于散热垫、我将等待您的回复。

此致、

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 668880 points

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您是否能够确认有关散热焊盘的信息？
此致、

0 admin 1 年多前

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您好 Kaji、

封装工程师回来了。遗憾的是、他说散热焊盘是与器件接地分开的 GND。这意味着您需要在引脚3和散热焊盘之间放置一个0欧姆的跳线。我将讨论设计、以了解是否有其他方法、或者连接是否与封装所说的不同。如果我听到反馈、我会向您更新。

此致、

John

0 admin 1 年多前

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感谢你的答复。
我将等待您的更新。
此致、

0 admin 1 年多前

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我们上次交流已经有一周了、您能否更新信息？
此致、

0 admin 1 年多前

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您好 Kaji、

John 一直到明天。当他回来时，他会回到你那里。

此致、

Nick

0 admin 1 年多前

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您好 Kaji、

很抱歉没有将更新推送给您！

我与一名高级工程师交谈、他们告诉我、这是一个通过导电芯片连接的松散连接。这意味着、为了从器件中获得良好的性能、您应该将跳线连接到器件的实际 GND 引脚、否则、导电裸片连接会使器件的有效接地增加高阻抗和可变阻抗时会出现问题。它连接到 GND 以确保大部分芯片不悬空、但它通过非零阻抗、最终可能具有非常高的有效阻抗、因此建议将一个0Ohm 跳线连接到 GND。

此致、

John

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[参考译文] TLV755P：在同一布局中使用 TLV755P 和 LP5912