This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM7480-Q1:用于两个12V/6A 输入的优先电源多路复用器

Guru**** 2560390 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/963263/lm7480-q1-priority-power-mux-for-two-12v-6a-inputs

器件型号:LM7480-Q1
主题中讨论的其他器件:LM74800-Q1

您好!  
我正在为 我的两个12V/6A 输入寻找优先级电源多路复用器。  我的是一款71W (PD 侧) PoE 应用、其中包含可选的12VDC 适配器。 12V 适配器输入将57V 至12V 直流/直流转换器输出连接在一起、这正是我寻找解决方案的地方。

LM74800看上去一切都很好。 应用手册《 使用理想二极管控制器并具有强大反向电池保护功能的六种系统架构》介绍了该器件、适用于许多应用、我对电源多路复用感兴趣。 但是、设计支持很小、没有说明电路的功能。  例如:VSNS 在优先级电源多路复用时的工作原理。  

遗憾的是、数据表也没有为电源多路复用应用提供太多指示、即使它涵盖了其他应用的设计过程。 您能否分享更多信息/应用手册(如果有)、以帮助您使用 LM74800设计优先级电源多路复用器?

连接上述应用手册中推荐的优先级电源多路复用器电路:

基于 IT 的问题很少:

-AUX LM74800上的 VSNS 如何帮助不打开 VAUX? 连接 VPRIMARY 后、VSNS/SW/OV 引脚如何与 LM74800的关断相关?

假设我在 VPrimary 的输入端实现了更便宜的反向电压保护、那么在 VPRIMARY 路径上使用 LM74800是什么?由于 VPRIMARY 具有优先级、因此每当连接 Vprimary 时、上 LM74800都必须打开 RT? 它就像短接线一样简单。 除了反向保护之外、LM74800在 Vprimary 路径上的其他功能是什么?  

-为什么仅在辅助 LM74800侧需要 MOSFET 驱动器(Q5)?  

-您是否有关于使用 LM74800的 PMUXing 的更多设计信息、例如此应用的详细设计过程?

谢谢、此致、

ABIIN

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 ABIN:

    感谢您与我们联系。

    让我在下周初回复您的问题并提供答案。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 ABIN:

    电源多路复用器配置设计过程的详细信息在 使用理想二极管控制 器实现可靠反向电池保护的六种系统架构的"使用优先级电源多路复用的6号反向电池保护"部分中进行了介绍。 我将复制下面的相关文本供您参考。 请告诉我,如果有任何问题不清楚,我将加以阐述。  

    AUX 通道的 OV 连接来自主电源路径。 U2的 OV 下降阈值设置为初级电源的欠压电平。 在正常运行期间、主路径打开。 U2的 OV 为高电平、这会使 Q4的栅极保持关断状态、从而断开到负载的辅助电源路径。 当初级电源电压下降或达到设定的欠压电平时、Q2关断、断开初级路径。 µs、U2的 OV 阈值变为低电平、并且在延迟6 μ s (典型值)后 HGATE 开始上升。

    HGATE µA 栅极驱动强度 I (HGATE)为53 μ A。 Q5可 µA 高达600 μ A 的更高栅极驱动电平、从而实现 Q4的快速导通。

    主路径上的 U1保持有效、使 Q2保持导通状态、因为其与电源的关系由辅助路径供电。 当主电源连接回时、系统输出立即连接到主路径。 U2的 µs 变为高电平、Q4在3 μ s (典型值)内关闭。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢 Praveen 的答复。

    不过、有几个问题:

    1) 1) 您是说设计6:具有优先电源多路复用功能的反向电池保护吗?

    2)您是否也能说明 Q1和 Q3的状态?

    假设 两个电源之间存在电压差、并且初级侧处于工作状态且电压较高、则该文档专门指出仅 Q4关断。 Q4的体二极管是否可能导通? Q3的状态是什么 (我假设 Q3打开以保持 U2打开)? 是否不会有反向电流的威胁?

    3) 3)假设我已经在 VPrimary 的输入端实现了反向电压保护、那么在 VPRIMARY 路径上使用 LM74800是什么? 由于 VPRIMARY 具有优先级、因此每当连接 Vprimary 时、上 LM74800都必须打开 RT? 它就像短接线一样简单。 如果我们可以使用更便宜的理想二极管控制器、例如 LM74700 (尽管似乎没有储备)、这是否可以节省成本(在设计6中将主 LM74800替换为 LM74700、拓扑是相同的)?  

    谢谢、此致

    ABIIN

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 ABIN:

    请参阅下面的内联回答、

    1) 1) 您是说设计6:具有优先电源多路复用功能的反向电池保护吗?

    是的、我打算参考"设计编号6:具有优先电源多路复用功能的反向电池保护"

    2)您是否也能说明 Q1和 Q3的状态?

    假设 两个电源之间存在电压差 、并且初级侧处于工作状态且 电压较高、则该文档专门指出仅 Q4关断。 Q4的体二极管是否可能导通? Q3的状态是什么 (我假设 Q3打开以保持 U2打开)? 是否不会有反向电流的威胁?

    当输出电压大于输入电压(次级)时、栅极线性稳压方案将拉低 DGATE、Q3将关断。  

    3) 3)假设我已经在 VPrimary 的输入端实现了反向电压保护、那么在 VPRIMARY 路径上使用 LM74800是什么? 由于 VPRIMARY 具有优先级、因此每当连接 Vprimary 时、上 LM74800都必须打开 RT? 它就像短接线一样简单。 如果我们可以使用更便宜的理想二极管控制器、例如 LM74700 (尽管似乎没有储备)、这是否可以节省成本(在设计6中将主 LM74800替换为 LM74700、拓扑是相同的)?  

    初级侧使用 LM74800-Q1、您将获得的额外优势

    1. 过压保护
    2. 主路径 开/关控制  

    如果不需要上述功能、则可以使用 LM74700而不是 LM74800。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    非常感谢 Praveen 的友好回复。

    还有一个问题。  
    如果在初级路径上既不需要反向保护也不需要开/关控制、我们是否可以放弃初级侧理想二极管?  

     在初级侧斜升之前、可能的反向电流是否对电源有危险?

    我提出这一问题是因为、一旦初级侧打开、次级侧将自行关闭、而它将是单独连接到负载的初级侧。  

    谢谢、此致

    ABIIN

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 ABIN:

    请参阅  下面的内联回答、

    如果在初级路径上既不需要反向保护也不需要开/关控制、我们是否可以放弃初级侧理想二极管?  

    如果主电源小于次级 ORing 控制器的导通阈值、则负载由次级电源供电。 在这种情况下 、将存在从 OUT 到 Primary IN 的反向电流。 这 是您的应用程序中的有效案例/可接受吗?

     在初级侧斜升之前、可能的反向电流是否对电源有危险?

    这取决于电源和应用。 您需要根据您的系统规格进行呼叫。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    是的、当然!
    谢谢 Praveen!


    在任何情况下、您是否在设计#6中具有 Q5、R5和 D3的设计指南、在"具有强大反向电池的六种系统架构"中提到了这一点

    使用理想二极管控制器的保护"?

    谢谢、此致

    ABIIN

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 ABIN:

    我将在12月23日之前向你提出我的意见

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 ABIN:

    流经 Q5的最大电流为600uA。

    因此、您可以根据您的应用为具有合适额定电压的 Q5和 D3使用逻辑电平组件。  

    我需要向我们的团队核实 R5价值、但所有团队都在年终假期。 我可以在 1月1日第一周结束前回来

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢、我会等待您的回答。

    此致、

    ABIIN

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 ABIN:

    感谢您的耐心等待。 我将在几天内回来。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 ABIN:

    1. Q5晶体管的额定电压应>[VAUX (MAX)+电荷泵电压、15V]
    2. R5电阻的值取决于您想要注入 HGATE 的电流大小、
      • 如果 R5 = 0欧姆、注入的电流大约为2.7mA
      • 如果您希望减少注入 HGATE 的电流以减缓 HFET 的导通、则可以增大 R5的值。 例如、如果要将注入 HGATE 的最大电流限制为500uA、则 R5 =[(Vaux (max)+15V)/500uA]

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢 Praveen。 它很有帮助!

    此致。

    ABIIN