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器件型号：TPS61165 我将处理 TPS61165的 SW 节点上的一些振铃问题。 请参阅下面的示波器截图：
我认为我的布局非常好。 但是、如果有任何问题、请告诉我：
散热焊盘下方有两个接地过孔。 它是一个4层 PCB、在第2层上具有实心接地层。
是否有任何特定于此器件的解决方案可供您推荐？ 或者、您能否给我指出一种用于此类振铃的通用解决方案？
原理图如下：
这样的振铃通常不是一个问题吗？ 我有与振铃频率相匹配的辐射 EMI 问题。
尊敬的 David：
很抱歉、 我不记得确切的 P/N 
我已努力改进布局和设计。 您能向我提供您对这些变化的看法吗？
构成输出环路的 D5和 C7已拧紧并尽可能靠近引脚移动。
C18和 R2是从 SW 到 GND 的 RC 缓冲器。
输出电容器 C7封装从0603增加到0805、以减少直流偏置效应。
电感器 L2封装尺寸从5mm 减小到4mm。 这主要是因为我可以安装额外的组件、但更小的尺寸从技术上讲会使环路尺寸更小。 对吧？
L4和 L5为我提供了在输入和输出中添加铁氧体的选项。
我还将整流器(D5)更改为具有较低电容的选项-从240pF 降至35pF。 您是否期望这会有积极的变化？ 这是否与降低寄生电容具有相同的效果？
尊敬的 Robin：
您能否了解一下布局的当前版本？
D5和 C7是二极管和输出电容器、使环路比以前更加紧密。
R2 (0805)和 C18 (0603)是缓冲器。 考虑到空间限制以及二极管和 Cout 的放置、我已使 SW 到 GND 的环路尽可能小。 请注意、我设法将 C18连接到顶层的 GND。 您认为这比通过过孔更好吗？ 或者、我应该也添加一个过孔、但要保持顶层接地？
L5是用于输入的铁氧体磁珠
L4是输出的铁氧体磁珠。
我在 TPS61165下有从顶层 GND 到整个 GND 平面(第2层)的通孔、在 Cin 旁边有一个通孔。 我知道有关 EMI 的这些过孔位置有不同的建议。 你认为他们在哪里都很好吗？ 或者、您是否建议将其移动到其他任何位置？
