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器件型号：LM5576 你(们)好
我们的客户正在评估 LM5576、并发现数据表和实验之间存在一些差异。
在最近的测试中、发现根据 LM5576芯片提供的欠压点计算公式计算的欠压点与实际测量值不准确。 我想问、这是否因为芯片的欠压比较器不准确。 是什么？ 或者还有其他原因吗？
在数据表中， VUV_sb=VSB*(1+Rup/Rdown)-Isource*Rup。 基准的迟滞为0.1V。
测量值与理论计算值的比较：
Rup=8 Ω*21%、Rdown=3.9kΩ Ω 24.9kΩ
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项目1. |
验证内部比较器基准电压(Isource=5uA) |
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VIN_UVLO（测试） |
VIN_UVLO（计算得出的值为）Ω |
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最小值1.17. |
典型值1.225. |
最大1.28 |
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无负载关闭 |
15.247. |
15.422 |
16.618 |
17.866 |
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完全负载关闭 |
15.255. |
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无负载打开 |
16.476 |
16.761 |
17.995 |
19.282. |
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满载开启 |
16.477. |
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Rup=49.9.k Ω 9kΩ 、Rdown=k Ω 1.74kΩ
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项目2. |
验证内部比较器基准电压(Isource=5uA) |
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VIN_UVLO（测试） |
VIN_UVLO（计算得出的值为）Ω |
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最小值1.17. |
典型值1.225. |
最大1.28 |
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无负载关闭 |
33.3347 |
33.812. |
36.106 |
38.478 |
|
完全负载关闭 |
33.437 |
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无负载打开 |
36.317 |
36.723 |
39.074 |
41.503. |
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满载开启 |
36.314 |
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从上述测试结果可以看出、实际测量值始终比理论计算的最小值低0.2V~0.4V。
您能否帮助检查哪一项可能会导致差异？ 我们应该采取什么措施来检查该问题？
