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[参考译文] CSD19537Q3：N-MOSFET 建议

admin
Guru**** 2511415 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19537Q3

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/966720/csd19537q3-n-mosfet-suggestion

器件型号：CSD19537Q3

尊敬的团队：

客户的电路规格 如下所示

VIN 54V、Iout = 1.2A

封装：DFN 3*3.

VDS：100V

VGS (TH)： 小于3.3V

RDS (on)：26mΩ↓(Vgs=10V)、如图所示

       图中38mΩ↓Ω(Vgs=4.5V)  

我们是否有适合客户的解决方案？

非常感谢

Jimmy  

  • 0
    TI__Guru**** 2511415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Jimmy、

    感谢您向客户推广 TI FET。 我们所有的100V FET 都具有低至最小 VGS = 6V 的额定导通电阻。 在 VGS = 4.5V 时、没有指定导通电阻。 客户必须以至少6V 的电压驱动栅极。 我们无法保证 VGS < 6V 时的导通电阻、也不建议在 VGS < 6V 时运行 FET。 在 VGS = 10V 时、CSD19537Q3的导通电阻低得多、最大值为14.5m Ω。