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[参考译文] TPS54620:在低压降模式下、从 Vo 添加二极管到 BOOT 以增加最大占空比

Guru**** 2535150 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS54620

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/966153/tps54620-add-diode-from-vo-to-boot-to-increase-maximum-duty-cycle-in-low-drop-out-mode

器件型号:TPS54620

大家好、

我的客户正在使用 P2P 解决方案 TPS54620/RT2856。 目前、当它们具有6.2Vin/5Vo、600kHz 和 RT2852的最大占空比时、无法满足要求。 因此,他们建议采用以下方案来增加占空比。 从我的角度来看、VOU 和内部引导电荷形成了一个简单的 OR-ing 电路、当引导电荷量较低时、它将为 Cboot 充电。 我有以下问题。 请给出相应的评论吗? 非常感谢!

最大占空比为1-fsw、min*toff、min 我检查了数据表、最小 Toff 为0ns、这意味着 TPS54620可以在100%占空比下工作。 请确认;

2、即使不适用于 TPS54620、也可以在此处添加二极管吗? 客户希望将 BOM 添加到 BOM 中、因此如果我们可以添加二极管、这将是很好的。

3.这里还有什么其他风险点?

 

-文豪

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    最大占空比为1-fsw、min*toff、min 我检查了数据表、最小 Toff 为0ns、这意味 着 TPS54620 可以在100%占空比下工作。 请确认;

    在逐周期开关频率基础上、TPS54620可在100%占空比下运行、但数据表"测试条件"中有一条重要信息  

    TPS54620内部有一个引导至相(开关节点) UVLO 电路、该电路强制高侧 FET 关闭、而低侧 FET 打开、以便为引导电容器充电。  只要二极管在100%占空比导通期间不会从 BOOT 泄漏反向电流到 VOUT、与内部二极管相比、向 BOOT 二极管添加一个压降更小且正向电阻更小的 VOUT 将有助于增加这些强制开关周期之间的时间。

    注意: 如果使用了启动电阻器、则二极管应连接到该电阻器的启动电容器侧、以便该电阻器不是启动电容器再充电路径的一部分。

    2、即使不适用于 TPS54620、也可以在此处添加二极管吗? 客户希望将 BOM 添加到 BOM 中、因此如果我们可以添加二极管、这将是很好的。

    只要输出电压低于7V、就可以将二极管从 VOUT 添加到 BOOT。

    3.这里还有什么其他风险点?

    提供外部二极管为引导再充电的主要风险是过充电引导、尤其是当 PH 电压因低侧 FET 的体二极管导通而为负时。  对于5V 输出、这不应成为问题。  I 二极管的源电压来自 VIN 而不是 VOUT、在体二极管导通期间、总 BOOT 至 PH 电压可能会变得过高。

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    尊敬的 Peter:

       我还有其他问题要 你回答。

    1.根据您的第2点和第3点、我对使用外部输出电压充电启动时是否存在风险感到困惑。 您的意思是 Vout<5V 在第2点是可以的、但如何理解"体二极管导通期间、总 BOOT 到 PH 电压可能会变得过高"?

    2. 100%占空比。 通常、直流/直流、Cboot 在 Toff 时间内充电。 如果100%占空比运行、我们如何为 Cboot 充电?  

      

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    1) 1)每个开关周期都有一小段时间、其中高侧和低侧 FET 都关断、电感器电流继续从开关节点流出、 在此期间、低侧 FET 的体二极管将电流从源极(接地)传导到漏极(PH)、从而强制 PH 电压相对于接地负值。  如果在 PH 变为负值时、有一个来自大于7V 馈送 BOOT 的电压的二极管、则 BOOT 到 PH 的绝对最大额定值将被超过、这可能会导致 TPS54620损坏。

    这就是为什么我在回答问题之前、先提出了一条符合条件的陈述、即"只要 VOUT < 7V、这是可以的"

    2) 2)似乎数据表中的文本在我的原始答复中未正确发布。  TPS54620具有内部 BOOT 至 PH UVLO 电路、当自举电容器电压降至 UVLO 电压(通常为2.1V)以下时、高侧 FET 将关断、低侧 FET 将在1个开关周期的剩余时间内导通。  因此、转换器以100%占空比运行大量开关周期、但会定期为自举电容器充电。  有效开关频率和有效占空比取决于引导电容器的再充电强度、外部二极管的作用以及在导通期间从引导器件汲取的泄漏电流和偏置电流、 因此、应使用具有极低反向泄漏的高质量二极管来确保尽可能高的占空比。

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    谢谢 Peter、从您的详细回复中充分了解他们。