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[参考译文] BQ76930:BQ76930简短测试

Guru**** 2595800 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76930, BQ76940

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/964469/bq76930-bq76930-short-test

器件型号:BQ76930
主题中讨论的其他器件: BQ76940

你(们)好

客户使用 BQ76930进行测试时、R-sense 为1m Ω、短路保护电流设置为155A、短路保护时间为70us。

1、 在打开 MOS 管之前短接负载、然后再打开 MOS。 示波器的紫色波形显示、探针的负极连接到电池端子附近的采样电阻器、正极连接到放电 MOS 输出端子 D。峰值短路电流超过1000A。 如果时间超过250ms、在汇流条烧断之前、MOS 管不会损坏、可以正常工作。 黄色波形是 MOS 栅极的电平、始终为高电平。   SYS_STAT 寄存器为0x00

2、 在 MOS 导通后的正常运行期间、如果使用铜柱来短路负载、可以对其进行保护。 示波器采样的最高电流大于750A。  从短路到 MOS 关断的总时间大约为2ms。 感觉不对,但短路保护功能正常工作,关闭 MOS。 SYS_STAT 寄存器为0x82

请提供一些建议  

谢谢

星号

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    尊敬的 Star:

    两次看起来都很长。  一些要查看的项目:

    1.部件响应 SRN 处相对于 SRP 的电压。  检查活动期间 SRP 的提升量。  此外、看看上升时间、滤波器会为引脚提供指数特征。  如图所示、当上升约1V 时、它应快速越过阈值。  建议的 SRP 范围为低、+/- 10mV。  如果输入太靠近电源(REGOUT)、它们将饱和、而不是更慢地检测或检测。  1V 时、您似乎不会接近。

    原理图显示了 BQ76930的 DSG 和 FET 栅极的公共馈电 DSG_G 之间的一些电路。  确保栅极没有意外延迟。

    3.短路期间,所有输入都拉入电源滤波器电容器。  请参阅 http://www.ti.com/lit/slua749 第3节。  输入滤波电阻器和功率滤波电容器较大、可承受此类事件。  RC = RF = 1k 且 CF = 10uF 是 BQ76930和 BQ76940的典型建议。 确保 VC5X 未拉入 VSHUT 区域。 如果电压拉至 VSHUT、则器件会断电、无法正确计时事件。  长时间延迟通常是随着 VSHUT 下降而出现的。

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    你(们)好  

    感谢您的回复。

    我将 RC = RF 更改为1k、将 CF 更改为10uF。 VC5X 至 GND 电容从10uF 增加到30uF、VBAT 至 VC5X 电容从10uF 增加到20uF。 短路测试后、VC5X 电压仍从12V 拉至2V。

    BQ76930的 DSG 引脚和 DSG_G 之间的电路是 MOS 的快速关断电路。 图中示波器通道1和通道2的波形是 BQ76930的 DSG 和 MOS - G 极的波形。

    谢谢

    星号

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    尊敬的 Star:

    我想您已经发现部件无法响应的原因、它无法在2V 下运行。  神秘的原因是、VC5X 可能会在器件响应之前下降太远。

    本视频中大约以7:10的频率显示了一个包含6节电池的短路示例。   https://training.ti.com/getting-started-our-monitoring-and-protection-ic-high-cell-count-batteries 由于时间刻度非常不同、因此很难将捕获结果与上面的波形进行比较。  如果本设计有2个功率滤波电阻器 RF 和4个输入电阻器 RC 拉上顶部组和3个栅极电阻器、作为粗略的近似值、如果我们估计这是8个1k 并联电阻器或作用于30uF 的125欧姆电阻器、 指数时间常量为3.75ms、达到其最终值的67%、此处为其初始值的33%、因此12V x 0.33 = 3.96V、期望其下降至0V。  因此、该部件仍应在此处运行、最大 SCD 延迟为400us。 这是一个粗略的近似值、但它看起来不像预期的那样。

    检查 SRP 和 SRN 引脚是否已连接以及 DSG 响应。  您可能会看到该器件是否响应施加在 C21上的类似(约1V)电压阶跃、并在没有功率摆幅的情况下切换 DSG。  如果器件响应、请更仔细地查看事件边缘、以尝试确定断电的原因。  如果器件没有响应、则查找未连接的引脚或可能是其损坏。

    请告诉我们您的发现。

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    你(们)好

    感谢您的回复。

    增加 VBAT 和 VC5X 引脚的电容后、使从 GND 到 VC5X 引脚的电压以及从 VC5X 引脚到 VBAT 引脚的电压大于3.6V、从而关闭 MOS。

    但是延迟时间不是正常的、关断时间大约为5ms、电流采样线不是差分的、这有什么影响吗?

    谢谢

    星号

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    尊敬的 Star:

    5ms 比任何 SCD_DELAY 都长、比器件的最短默认 OCD_DELAY 更短。 通常、SCD 的这些长时间延迟也表示功率损耗、但您似乎已经发现并纠正了这种情况。

    SRP 和 SRN 线路不一定需要为差分线路、但必须连接才能表示电流。  通常、如果它们单独布线、它们可能具有远离感测电阻的拾取位置、这会为明显较大的感测电阻的感测电阻添加额外的走线电阻、并且该部件将在低于预期的电流阈值的情况下跳闸。  但是、请检查您的设计中的连接和效果。  我希望您已经检查过、但要确保 SRP 和 SRN 引脚以及线迹和电阻器均已焊接到电流路径。  检查电容器是否未短路、必要时检查该值。  由于电容器值通常未标记、因此您可能需要替换它们或检查上升时间。  

    一种可能有用 的技术是将1V 阶跃应用于 SRN 的大约900 Ω 测试电阻器、其中100 Ω 滤波电阻器接地(电池)、忽略传感电阻器、您将获得大约10%的电源电压。  查看上升时间是否合适、如果上升时间较长、则存在意外电容。  如果您使用的是较低的 SCD 阈值、您应该能够看到 SCD 响应 DSG 输出的时序。  如果您具有更高的阈值、则需要更高的电压或更小的测试电阻器。  如果 SCD 响应按预期工作、则在电流在实际 SCD 事件中流动时、查找来自电流的某种耦合、该电流会改变 GND 或干扰 SRP 或 SRN。