专家您好!
我对 LM5122有疑问。
首先、我想问您、在器件下方的输出侧施加电压是禁用。
我认为该器件可以施加电压、因为 QH FET 会阻断反向电流。 这种理解是否正确?
此外、对于这种情况、关断模式或待机模式、您建议采用哪种条件?
其次、当 Vin 持续导通高侧 FET、超过配置的输出电压时、我对旁路模式的理解将作为开关工作。
这种理解是否正确?
我很期待收到您的回复。
此致、
Kazuki Kuramochi
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专家您好!
我对 LM5122有疑问。
首先、我想问您、在器件下方的输出侧施加电压是禁用。
我认为该器件可以施加电压、因为 QH FET 会阻断反向电流。 这种理解是否正确?
此外、对于这种情况、关断模式或待机模式、您建议采用哪种条件?
其次、当 Vin 持续导通高侧 FET、超过配置的输出电压时、我对旁路模式的理解将作为开关工作。
这种理解是否正确?
我很期待收到您的回复。
此致、
Kazuki Kuramochi
您好、Kazuki、
感谢您提出问题并在设计中考虑使用 LM5122。
对于第一个工作条件,我假设您希望***器件不切换时的输出电压高于输入电压,这是正确的吗? 如果出现这种情况、高侧 MOSFET 的体二极管将阻止电流流流回输入电压轨。 如果器件处于待机或关断模式、其运行基本相同。 如果处于待机模式、LM5122 IC 将消耗更多电流、因为大多数 IC 在待机模式下运行。 关断模式的电流消耗较低、但在启用器件时启动开关所需的时间较长、因为 IC 必须首先唤醒。
您对旁路操作正确无误。
如果您有任何疑问、请告诉我。
谢谢、
Garrett
您好、Garrett、
感谢您的解释。
您对第一个问题的理解是正确的、并解决了我在上面的问题。
但是、我还有以下其他问题。
您会回答这个问题吗?
在输出侧施加电压时、能否将 UVLO 从低电平更改为高电平?
在开关操作下、我们可以更改 FB 电阻器吗?
对于第一个问题、这与前一个问题的情况相同。 在相同的条件下、我们希望唤醒该器件。
对于第二个问题、我们希望在该器件运行时输出电压。 当然、我们会注意到、我们永远不会导致浮动条件。
此致、
Kazuki Kuramochi