您好!
下面是一个问题图: 该电路与数据表建议的电路完全相同、只是存在其他下拉电路(红色和橙色 N-MOSFET)–当系统中的其他保护触发时、这些 MOSFET 将同时将 CHG 和 DSG 中的任何一个拉至接地。
问题 是:CHG 和 DSG 引脚是否可以处理这种直接下拉至接地而不会损坏? 您对这个想法和电路还有其他意见吗?
e2e.ti.com/.../bq2980_5F00_QUESTION.pdf
谢谢、
Christina
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您好!
下面是一个问题图: 该电路与数据表建议的电路完全相同、只是存在其他下拉电路(红色和橙色 N-MOSFET)–当系统中的其他保护触发时、这些 MOSFET 将同时将 CHG 和 DSG 中的任何一个拉至接地。
问题 是:CHG 和 DSG 引脚是否可以处理这种直接下拉至接地而不会损坏? 您对这个想法和电路还有其他意见吗?
e2e.ti.com/.../bq2980_5F00_QUESTION.pdf
谢谢、
Christina
Andria、您好!
是的、我们了解在正常运行中、CHG 和 DSG 需要导通高侧 N-FET、因此它会从电荷泵产生高于系统总线电压 Vdd 的电压。 但是、我们要问的问题是出现异常情况、系统中的其他保护电路需要关闭充电和/或放电 N-FET。
由于所有电荷泵输出电流都将被红色/橙色 MOSFET 拉至接地端、但我们可以想象、电荷泵将继续尝试向 CHG 和 DSG 引脚泵一些电流、 所有电流都将通过红色/橙色 MOSFET 短接至接地端、因此我们猜是电荷泵将以最大容量工作、以10uA 的速率泵电流(根据数据表表表表7.5 ILOAD)。
如果正确的话、您是否想详细说明内部电荷泵将承受的应力是什么以及如何承受的?
如果我们真的这么做、风险和后果是什么? (换言之、会发生什么情况?)
另一个问题:
如果将 CHG 或 DSG 下拉至接地(就像我在最初的电子邮件中提到的那样)不是一种正确的方法、那么当其他保护电路想要关闭高侧 N-FET (CHG FET 和 DSG FET)时、是否有建议关闭 CHG/DSG 的方法?
保护设计原理是直接关断 FET–这是为了处理它们的栅极电压、而不是通过中间人将它们关断。
谢谢、
Christina
您好、Christina、
正如我提到过的、如果电荷泵电容器被拉至接地、电荷泵电容器将被排出。 这可能会导致问题、因为 CHG 和 DSG FET 都依赖于电荷泵来提供电压。 这可能会导致系统电流过大、因为电荷泵电容器同时充电至足以打开一个 FET 的高电压、同时又被拉至接地。
例如、如果 CHG FET 导通且 DSG FET 关断、DSG FET 路径将被拉至接地。 这将耗尽电荷泵电容器、电荷泵电容器也会尝试向 CHG FET 提供电压以使其保持导通状态。 因此、系统将紧急尝试为电荷泵电容器充电、以向 CHG FET 栅极提供高电压。 为了给被拉至接地 的电容器充电、器件或系统将被迫提供高电流。 这可能会导致过热、组件烧毁或其他并发症。
您可能会将由外部系统控制的 MOSFET 放置在电荷泵与 CHG 和 DSG FET 之间。 这意味着从电荷泵到接地之间不会有直接的路径。 但是、对于此配置、您需要考虑电平转换、并在高于电荷泵输出的额外 NMOSFET 上实现栅极电压。
最棒的
Andria