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[参考译文] TPS51716:关于 S5的最短低电平时间

Guru**** 670150 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51916, TPS51716
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/881155/tps51716-min-low-time-about-s5

器件型号:TPS51716
主题中讨论的其他器件:TPS51916

尊敬的技术支持团队:

——您能给我最小的 S5信号无效时间吗?
-您能否告诉我在[波形(A)]的情况下 VDDQ 为什么没有上升?

[波形(A)]
我注意到,在200us 的断言之后,VDDQ 没有上升
信号的频率。

[波形(B)]
但在 S5信号无效4、000ms 后、VDDQ 确实上升。

我已查看波形(A)和(B)。 不同之处在于断言
信号的时间。 因此、我们认为最短时间是最短的
使 S5信号无效以重新上升 VDDQ。

此致、
Hirose 总一郎

e2e.ti.com/.../Question_5F00_min_2D00_low_2D00_time_2D00_about_2D00_S5.pdf

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    尊敬的 Soichiro:  

    抱歉、我找不到 S5失效信息。  

    您能否调整 S5关闭时间并找出取消置位时间?

    同时、您能否共享 S3、S5和 VDDQ 的原理图和实际波形? 只需检查行为是否与其他内容相关。  

    谢谢

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    您好、钱

    感谢你的答复。

    由于我们公司的出口流程、很难提供原理图和波形。

    实际波形等于波形(A)和(B)。

    作为此芯片的规格、在 S5信号有效后 VDDQ 将上升

    是否需要 S5失效时间?

    此致、

    Hirose 总一郎

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    尊敬的 Soichiro:  

    我找不到 TPS51716 EVM、但我在 TPS51916 EVM 上做了一些测试。 TPS51916应使用与 TPS51716相同的 S3-S5电路。  

    下面是测试波形。 S3和 S5的关闭时间为200us。  失效时间大约为1.6ms。  

    您能否检查您是否在电路板上看到类似的结果。  

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    您好、钱
    感谢您的测试。

    根据您的结果、第二次将 S3/S5信号取消置位
    在 VDDQ 停止后、可能会启动 VDDQ 重新上升。

    您能否在仅一次使用200us 使 S5信号无效的情况下进行测试
    如所附文件中所示?
    我想 VDDQ 不会上升。

    此致、
    Hirosee2e.ti.com/.../Question_5F00_min_2D00_low_2D00_time_2D00_about_2D00_S5_5F00_2.pdf

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    尊敬的 Soichiro:  

    我无法将 S3和 S5信号设置为与您完全相同。  

    我保持 S3为低电平并打开和关闭 s5信号。 下面的波形显示了 VDDQ 能够启动。  

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    您好、钱
    感谢您的测试。

    您能否在 S5信号失效时间从200us 延长到100ms 的情况下进行测试?
    我想、如果取消置位时间延长、VDDQ 将在 S5信号首次取消置位后重新上升。
    如果是、则表示该 IC 中存在 S5信号的最小失效时间。

    此致、
    Hirose 总一郎
    e2e.ti.com/.../Question_5F00_min_2D00_low_2D00_time_2D00_about_2D00_S5_5F00_3.pdf

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    尊敬的 Soichiro:  

    下面是关断时间为100ms 的波形。  

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    您好、钱
    感谢您的测试。

    我解释说、如果 S5信号的无效时间至少为100ms、VDDQ 将重新上升。

    此致、
    Hirose 总一郎

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    尊敬的 Soichiro:  

    测试波形显示失效时间约为1.6ms。  

    考虑到温度和工艺变化,我建议使 S5关闭时间长于1.6ms*2=3.2ms。  

    100ms 的关断时间肯定就足够了。  

    谢谢

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    您好、钱

    我知道。
    谢谢你。

    此致、
    Hirose 总一郎