[参考译文] LM5060-Q1：C1导通时间延长

您好、 Sakai、

您可以在栅极上使用高达~22nF 的电容。 除此之外、我建议使用"LM5069数据表第一页中提到的外部 dVdT 电路"。

栅极电容越高、启动时间越长。 它有助于最大程度地减小纯容性负载的浪涌电流。 对于恒定功率或恒定电流负载、较长的启动时间会给 MOSFET 带来压力。

您能否分享您的应用程序详细信息？ 是用于汽车吗？ 系统规格是什么？

BR、Rakesh

尊敬的 Rakesh-San。  

非常感谢您的建议。  

我尝试使用仿真模型在栅极上添加22nF 电容器来进行检查。  

它看起来栅极电压在关断时由内部16.8V 齐纳二极管钳制。  

我想知道这种行为是否会被认为是正常和合理的？

请再次提供您的建议。  

PS)  

它是汽车产品、与您知道的 RMA 案例相关。 运行时间为30k.月。  

此致、  

H. Sakai

您好、 Sakai-San、

当电源输入电压为0时、栅极应完全放电。

您是指仿真文件中的错误吗？

BR、Rakesh

尊敬的 Rakesh-San。  

非常感谢您的回复。  

我会将我的邮件发送给您、以供您使用、并附上机密信息

信息。 我们可以通过私人邮件进行交谈。  

此致、  

H. Sakai