[参考译文] LM5060-Q1：C1导通时间延长

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器件型号：LM5060-Q1
主题中讨论的其他器件：LM5069

尊敬的先生。

我想确保使用 C1电容器的导通时间延长。

很抱歉打扰你的 Jon。请提供您的建议。

1. C1电容器的建议值或限制值是否存在？

2.数据表说明了慢速导通时峰值功率损耗造成的损坏。

过大的电容值也会在关断时产生影响、因为栅极较高

电压将在较低 Vin 电压下保持较长的时间。

我想我的猜测是正确的吗？

此致、

H. Sakai

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2782575 points

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您好、 Sakai、

您可以在栅极上使用高达~22nF 的电容。除此之外、我建议使用"LM5069数据表第一页中提到的外部 dVdT 电路"。

栅极电容越高、启动时间越长。它有助于最大程度地减小纯容性负载的浪涌电流。对于恒定功率或恒定电流负载、较长的启动时间会给 MOSFET 带来压力。

您能否分享您的应用程序详细信息？是用于汽车吗？系统规格是什么？

BR、Rakesh

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2782575 points

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尊敬的 Rakesh-San。

非常感谢您的建议。

我尝试使用仿真模型在栅极上添加22nF 电容器来进行检查。

它看起来栅极电压在关断时由内部16.8V 齐纳二极管钳制。

我想知道这种行为是否会被认为是正常和合理的？

请再次提供您的建议。

PS)

它是汽车产品、与您知道的 RMA 案例相关。运行时间为30k.月。

此致、

H. Sakai

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2782575 points

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您好、 Sakai-San、

当电源输入电压为0时、栅极应完全放电。

您是指仿真文件中的错误吗？

BR、Rakesh

0 admin 6 年多前

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尊敬的 Rakesh-San。

非常感谢您的回复。

我会将我的邮件发送给您、以供您使用、并附上机密信息

信息。我们可以通过私人邮件进行交谈。

此致、

H. Sakai

0 admin 6 年多前

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您好、Sakai-San、

在这里结束主题、因为我们正在电子邮件上继续讨论。

BR、Rakesh

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