[参考译文] UCC23513：使用 PSpice 模型评估高压稳压器中高侧驱动器的 UCC25313。 很不好。

大家好、Thomas、

欢迎使用 e2e、很遗憾听到您遇到的困难。

首先、UCC23513绝对可以像您尝试使用它一样使用。 正如您所建议的、这是模型的问题。

我没有看到模型中节点0的引用、您能指出您看到的是什么吗？

您好、Don、

感谢您的欢迎。 我实际上已经在这里开了好多年了，但这是我在黑暗中第一次哭。 实际上这里似乎有很多光！

这是我希望使用 UCC23513的好消息、尤其是我的采购人员 已经为原型获取了器件！

节点0用于多个嵌套(嵌入式)子电路中。

我没有 PSpice、但根据经验、我相信 TopSpices PSpice 兼容性能够忠实地处理嵌套子电路、就像 OrCads 程序一样。

另一方面、Altium 电流仿真引擎采用所有嵌套子电路并使其成为全局子电路、这很容易导致许多网表爆炸。

我在 Altium 中进行原理图捕获和网表编译、并使用 TopSpice 运行生成的网表。  到目前为止，这种组合效果良好。 另一方面、我们的 PCB 布局艺术家将 Altium 的这一部分用于其 PCB 工作、这方面做得很好、因此2对3合3、具有良好的夹紧装置也不是太糟糕。

公平地说、Altium (最后)正在修复和调试困扰其当前仿真器多年的许多问题。 他们承诺在下一个完整版本中继续使用它并进行重大改进。

同时、我还在为 TI 未经过完美测试的模型而苦恼。 在 Penzar (TopSpice)的帮助下、我发现并更正了 UCC27536模型中的语法错误。 这个现在运行了。

只要我处于该状态、我就会提到 TPS40210模型也是使用节点0的简单方法。 这在10至20年前是常见的，但自那时以来，大多数作者停止了这种做法，因为这可能是一个真正的问题。 节点0的使用经常会阻止模型在浮动配置中工作。

Tom Garson

极光科技

大家好、Tom、

抱歉、我的团队只负责 UCC23513。 如果您对其他 TI 器件有疑问、请单独发布一个帖子、负责的团队将作出响应。

我们不清楚-您是否自行解决了 UCC23513型号的问题？ 您是否需要我们的进一步帮助？

 您好、Don、

我   尚未解决   我  在  UCC25313 PSpice 模型方面遇到的问题。

为了让我继续进行仿真、当 VSS 端子不处于接地电位时、该模型需要可用。 我认为这将需要在没有任何与 节点的内部连接的情况下重建模型  0。

我知道、物理器件不限于 在非浮动应用中使用、但这使我处于一个不太舒适的位置、即在没有运行 仿真保证的情况下生产原型 PCB。

我绝不是 Spice Wizard、尽管我尝试更正模型、结果只是部分、不满意。    继续    努力  改进  这一模式将是我的一个主要负担。

虽然我不是 TI 的模型创建内部流程的缔约方、但我仍然愿意帮助纠正我目前认为模型存在的重大缺陷、从而使 模型 ( 模型) 在   预期 用途方面毫无用处。

测试此行为的一种简单方法是创建一个具有将阳极驱动到阴极的脉冲发生器的电路。 将阴极接地。 在 VCC 和 VSS 之间提供正电压源(我使用+24V)。 将 VSS 接地、您应观察输出端的活动是否正常。 现在、在 VSS 和接地之间放置一个电压源(例如+10V)。 我的结果是  、输出   将被锁存 至    两  个电压源的总和。

顺便说一下、我向您说了一些生物。

PSU 等级为73。 我们是… 在伊利的贝伦德的头两年。 在国立学院1年。 EE 中的物理现象。 早早离开、前往圣何塞、在 Mtn 的小实验室工作。 视图。

我与之合作的公司是 Enervolt。 我不能说我正在做什么、但 Enervolt 是一个希望变得更强大的启动公司。 为即将开始的演示文稿准备工作原型、让热量散发出来。

Tom G

大家好、Tom、

我将要求我的同事与您一起研究这个模型问题。 让我们花几天时间来研究这个模型问题。

哇！ 小世界！ 毕业后、我没有回到校园、毕业后我搬到了西海岸。

您好、Don、

我绝对赞赏这一点。

如果在使用最新版本的 PSpice 进行测试时模型正常工作、请也告知我。

我使用 Penzars TopSpice、它非常注重 PSpice 兼容性。

Penzar 已经向我保证、如果我运行的是经验证的 PSpice 模型、TopSpice 无法处理、他们将更新 TopSpice 以使其能够使用、或者对模型进行返工以使其在其环境中运行。

我担心的是、OrCAD 与 PSpice 变色、以至于它们打破了 Berkeley Spice 操作的一些最基本规则、可能使任何人都非常难以使用甚至是未加密的 PSpice 模型。

我在国立大学以东约90英里处长大、已经多次回到宾夕法尼亚州、但自70年代以来、我实际上也没有去过大学公园。

嗯、问题看起来是这样的 我对所有的麻烦表示歉意。

但是、我仍然需要到达它的底部。

如果我使用纯容性负载运行仿真、则输出看起来高达大约10nF。

我遇到困难的原因似乎是、当我将 MOSFET 栅极连接到 UCC23513的输出时。

如果您可以发布上述 OrCAD 项目、我可以直接运行这些项目或确定使用的 MOSFET。

再次感谢。

Tom、

没问题。 我们始终乐意为您提供帮助。

我在半桥仿真中使用了 PSPICE NMOS 模型、在第一次仿真中使用了180nF 电容负载。

以下是项目：

原始项目(来自 TI.com)

半桥项目

e2e.ti.com/.../UCC23513_5F00_hb.zip

浮动、容性负载低于

e2e.ti.com/.../UCC23513_5F00_float.zip

如果您需要任何其他信息或有任何其他问题、请告知我们。

最好

Dimitri

Dimitri 和 Don、您好！

UCC25313的更多乐趣 然而，已经取得了进展。

只要我使用默认的 Spice NMOS 模型、TopSpice 就能够成功运行您提供的测试电路以及我自己设计的大部分。

但是、我发现、当我尝试整合最新 Infineon CoolMOS 器件的模型 IPW60R0780P6时、会将其栅极(通过68 Ω 电阻器)直接连接到 UCC 25313的输出。

当我这么做时、TopSpice 不收敛。

接下来、我们来看看有趣的部分：如果我在 UCC25313和 IPW60R0780P6之间插入一个更简单的3级 NMOS 器 件(STQ1NK60ZR-AP)、电路将与预期结果收敛。 (从规范中可以很清楚地看到、物理 UCC25313不需要缓冲器组件来驱动 Infineon 器件。)

请使用 PSpice 重新运行包含上述器件模型的 UCC25313测试并提供结果。 如果你没有困难，我会把结果传给彭扎尔，让他看。

再次感谢您在这方面的帮助。

Tom Garson

为方便起见、我粘贴了以下这些器件的模型：

(二

SUBCKT IPW60R070P6_L0 漏 极栅 极源极
LG    门 G1   5n
LD    漏极 D1   3n
LS    源极1  5n
RS     s1   s2  2m

RG    G1   G2    1.04
M1     D2   G2   s2      DMOS   L=1U  W=1U
.MODEL DMOS NMOS (KP= 63.677 VTO=4.85 THETA=0 VMAX=1.5e5 ETA=0 LEVEL=3)
RD    D2   D1A   0.06 TC = 10m
.model MVDR NMOS (KP=130.45 VTO=-1  lambd=0.15)
MR D1 d2a D1A D1A MVDR W=1U L=1U
RX d2a D1A 1m
Cds1 s2 d2 51.6p
DBD    s2   D2   DBT
.MODEL    DBT   D (BV=600  M=0.9 CJO=45.09n VJ=0.5V)
Dbody  s2  21   DBODY
.model DBODY D (Is=89905p N=1.6 RS=4U EG=1.12 TT=250N)
二极管 D1 21   1.72m Tc=3m

.MODEL  SW   NMOS (VTO=0 KP=10  LEVEL=1)
MAUX     G2  c   A     软件
Maux2    b   d   G2     软件
EAUX     c   A   D2   G2  1.
EAUx2    d   G2  D2   G2  -1
Cox      b   D2  4.47年
.MODEL    DGD   D (M=0.88  CJO=4.47n  VJ=0.5)
Rpar     b   D2  1MEG
DGD      A   D2  DGD
Rpar2    D2  A   10M Ω
CGS    G2   s2   4.47n

结束 IPW60R070P6_L0

(三

(三
*    STMicroelectronics 生成的模型        *
*            保留所有权利            *
*     商业用途或转售受限         *
(三
*创建日期：17-11-2006                       *
*                                                  *
*功率 MOSFET 模型(3级)                     *
*                                                  *
*外部引脚说明：                       *
*                                                  *
* PIN 1 -> DRAIN                                   *
* PIN 2 ->门                                    *
* PIN 3 ->来源                                  *
*                                                  *
*                   四 C ****                     *
*********                            *
＊    (Ｓ)＊＊       *
* 从测量数据中提取的参数模型   *
*             <<<<<<<<<<<<<<< >>>               *
＊    (Ｓ)＊＊       *
*  此模型可在25°C *的温度下使用    
*                                                  *
(三
* STQ1NK60ZR-AP 的建模
 
.SUBCKT STQ1NK60ZR-AP 1 2 3.
LG 2 4 7.5E-09
LS 12 3 7.5E-09
LD 6 1 4.5E-09
RG 4 5 9.947
RS 9 12 0.919
地址：Rd 7 6 10.052
RJ 8 7 0.426E-01
CGS 5 9  0.126E-09
CGD 7 10 0.165E-09
CK 11 7 0.948E-12
DGD 11 7 DGD
DBS 12 6 DBS
DBD 9 7 DBD
MOS 13 5 9 9 MOS L=1U W=1U
E1 10 5 101 0 1
E2 11 5 102 0 1
E3 8 13 Poly (2) 6 8 6 12 0 0 0 0.299E-01
G1 0 100 7 5 1U
D1 100 101 DID
D2 102 100 DID
R1 101 0 1MEG
R2 102 0 1MEG
 
模型 MOS NMOS
+电平= 3
+ VTO  = 4.662
+ PHI  = 0.875
+=   0.1E-12
+ JS   = 0
+ THETA = 0.442E-01
+ KP   = 3.041
 
模型 DGD D
+=   0.1E-12
+ CJO  = 0.247E-10
+ VJ   = 0.781
+ M    = 0.293
.model DBD
+=   0.1E-12
+ CJO  = 0.551E-11
+ VJ   = 0.815
+ M    = 0.362
.model DBS D
+=   0.1E-12
+ BV   = 625
+ N    = 1
+ TT   = 0.141E-06
+ RS   = 0.345E-02
模型执行了 D
+=   0.01E-12
+ RS   = 0
+ BV   = 635
.END STQ1NK60ZR-AP
 
*建模结束