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[参考译文] LM66100:LM66100

Guru**** 2531710 points
Other Parts Discussed in Thread: LM66100

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/872159/lm66100-lm66100

器件型号:LM66100

LM66100数据表第6.5节中列出的电气特性、Ircb、反向激活电流是什么?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mike、

    为了详细说明图中的具体情况以及  IRCB 在设计中的含义、让我们再次查看反向电流阻断图:

    本质上而言、当 LM66100导通时、内部 FET 将看起来像一个电阻为 RON 的电阻器。 RON 值在数据表中针对多种不同的输入电压进行了规范。

       您在数据表的比较器芯片启用(CE)部分中看到的 Voff 值是 LM66100  反向电流阻断逻辑激活所需的 VOUT 和 VIN 之间的电压差。 当 VOUT 引脚连接到低电平有效 CE 引脚的比较器逻辑时、在反向电流设置中会检测到这种情况。   在检测到 VOUT 的位置、IRCB 的数据表参数 只是流经 FET 等效电阻 RON 的电流。

    以最坏情况125°C、5V 为例。 在本例中 、RON 值为120mΩ Ω。   在本例中、最坏情况下的 Voff 为80mV。 将 Voff  值除以 RON 、得到   的 IRCB 值为0.667A。 这基本上是 IRCB 数据表中描述 的所有规格电压和温度条件范围的值。  

    TI 提供的11种电源路径保护方法电子书中有一个非常好的反向电流保护章节。 如果您还没有、我建议您查看一下。 如果您有任何疑问、请随时联系我们。