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[参考译文] LM25118EVAL:LM25118EVAL 的辐射噪声

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25118EVAL, LM25118
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/892704/lm25118eval-radiated-noise-of-lm25118eval

器件型号:LM25118EVAL
主题中讨论的其他器件: LM25118
你好。
我们一直非常乐于助人。
我正在评估获取和使用 LM25118EVAL。
对于运行期间的辐射噪声、建议采取哪些应对措施?
输入电压为12V 对于 LCD 和外设电路、输出电压为12V 负载电流约为1A。
振荡频率为300kHz。
测量了辐射噪声(30MHz 至1GHz)、但在47MHz、90MHz 和207MHz 下超过30dBuV/m。
采取措施。
谢谢你。
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    您好、user6144845

    感谢您使用 LM25118并提出您的问题。

    在30MHz 至1GHz 的频率范围内、开关节点的上升和下降以及任何高频振铃都会影响测量。

    一种建议是通过向开关节点添加 RC 缓冲器或向 MOSFET 添加栅极电阻来降低开关节点的速度、从而缩短开通时间。 输出二极管上的缓冲器也有助于抑制任何高频振铃。

    如果您有任何疑问、请告诉我。

    谢谢、

    Garrett

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    你好。 Garrett 先生
    非常感谢您的回答。

    测量 LM25118EVAL 的开关波形(TP3)时观察到振铃。

    作为改进方法
    在 FET Q1的源极和 GND 之间插入 CR (5至10Ω+ 1、000PF 至10、000PF)。
    10Ω(5 μ F + 1、000PF-10、000PF)插入 FET Q2的漏极和源极之间。
    振铃波形变化不大、表现为辐射噪声。

    如果您有任何其他改进建议、请告知我们。
    请显示原理图。

    振铃频率约为50MHz。

    谢谢你。

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    你好。 Garrett 先生

    连接缓冲器的连接位置和辐射噪声的测量结果。
    我想降低60MHz 噪声。

    谢谢你。

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    你好。 Garrett 先生

    在 FET 的漏极和栅极之间插入缓冲器不会改善开关波形的振铃。
    在检查 LM25118的 HO 和 LO 引脚的波形时、出现了振铃。 当在 FET 的栅极和 GND 之间插入缓冲电路时、振铃几乎消失、效率降低约1%至2%。 有待改进
    如果您有任何意见、请告知我们。
    非常感谢。

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    您好!

    对于在该频率范围布局中发生的噪声而言非常重要。 应放置缓冲器、以最大限度地减小寄生电感。 通常、这是通过表面贴装器件实现的。 这些表面贴装器件应直接放置在开关器件上。 RC 缓冲器应 放置在 MOSFET 漏源极以及二极管的阳极和阴极的余弦上。

    当缓冲器连接到栅极驱动器时、这会有效地增加一些阻抗、从而减慢开关节点的上升和下降时间、从而减少高频振铃。 使用 简单的栅极电阻器也可以实现同样的功能。 降低开关节点的上升和下降速度会增加开关损耗、从而影响效率。 没有办法解决这个问题。

    如果您有任何疑问、请告诉我。

    谢谢、

    Garrett