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[参考译文] CSD18510KCS：栅极电阻的功率损耗

admin
Guru**** 2510095 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18510KCS

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/875515/csd18510kcs-power-loss-of-gate-resistance

器件型号：CSD18510KCS

尊敬的所有人：

我们的客户正在使用 CSD18510KCS。

此时栅极电阻器的损耗功率 RRG 如下。 正确吗？

◎μ V 条件

・VG = 10V

・Qgtotal = 118nC (典型值)

・Fsw = 80kHz


PRG = Qgtotal x VG x FSW= 118nC×10V×80kHz

此致、

是的、奥特伊

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    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Y.Ottey、

    感谢您向客户推广 TI FET。 您在帖子中包含的功率计算是打开和关闭 FET 的总功耗。 这将根据栅极驱动器的内部电阻值、外部电阻器和 FET 的内部栅极电阻值在驱动器 IC、外部栅极电阻器和 FET 的内部栅极电阻之间进行分压。 对于 CSD18510KCS、内部栅极电阻指定为0.9欧姆(典型值)和1.8欧姆(最大值)。 请参阅下面的公式。

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    TI__Guru**** 2510095 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    图片未正确复制。 请参阅随附的。

    e2e.ti.com/.../Gate_5F00_Drive.pdf