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[参考译文] BQ40Z60:如果更改栅极驱动器电阻、BQ 芯片会导致高 EMI 并烧毁

Guru**** 2532540 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z60

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/875348/bq40z60-bq-chip-causing-high-emi-and-burns-out-if-change-gate-driver-resistors

器件型号:BQ40Z60

大家好、这个 IC 似乎在30MHz 至300MHz 范围内产生了非常强的发射。 它也可以具有很高的宽带。 我原以为这是我们的设计实施方案、但我刚刚订购了评估板、该板似乎也非常嘈杂。 请查看随附的屏幕截图。 我想知道、我们是否可以为设计添加任何东西来减少或消除这些发射。

我们还看到了 TI 评估板上的排放物,哪一种应该具有最佳的理想布局,对吧?

我们最终将栅极驱动器电阻器从0欧姆电阻器更改为39欧姆电阻器、然后对其通电、IC、MOSFET 和电感器开始变得非常热。 然后、电源上的电流受到电流限制、IC 或 MOSFET 随后爆炸、电路板关闭。 我们仍在确定下一步要做什么。 本质上、由于某种原因、这会导致巨大的电流浪涌。

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    您好 Chris、

    根据我们先前 e2e 帖子的指导、bq40z60存在此 EMI 问题。

    遗憾的是、没有好的方法来消除这些发射。

    请切换到 bq40z50-R3和分立式充电器。

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    好的、您在 DigiKey 或 Mouser 上有指向此器件的链接吗? 我只能找到-R2。

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    http://www.ti.com/tool/BQ40Z50-R3-DEVICE-FW